发明提出了一种半导体晶圆级的减薄制备技术并直接进行晶圆级柔性封装的方法。该方法的特点在于：在原晶圆钝化焊点处通过电镀形成金属柱，再通过旋转涂胶等方法，在已形成金属柱的晶圆正面上形成一层聚酰亚胺柔性封装层，此后通过化学机械抛光将聚酰亚胺柔性封装层研磨至裸露出金属柱，之后便可进行晶圆背面减薄与晶圆正面植球等工艺，完成晶圆级柔性封装。本发明最大限度减小了柔性芯片的寄生参数，并实现了规模化晶圆级柔性芯片封装，大幅提高了生产良率。本发明属于半导体技术领域。