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公开(公告)号：CN117672964A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311661345.7
申请日：2023-12-06
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/71 , H01L21/683
摘要： 本发明提出了一种功率器件芯超薄制备与封装方法。其特点在于：正面覆盖一层30μm至60μm的聚酰亚胺或其它钝化膜，该钝化层在实现正面电极重新布局的同时，也形成了晶圆表面封装保护层，该保护层更可作为薄晶圆片封装的加工支撑，以方便采用固晶机的芯片拾取。此外，这层薄膜也可作为功率晶圆进行减薄加工保护支撑层。完成前述步骤的功率器件晶圆可通过金属蒸发或淀积的工艺形成背面电极。上诉结构在完成减薄后具有一定的厚度，存在一定的刚性，可采用TO‑220、TO247和模块支架等封装架构，对其键合封装。
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公开(公告)号：CN110635008B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201910932154.7
申请日：2019-09-29
申请人： 电子科技大学 , 四川晶辉半导体有限公司 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本发明采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本发明适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。
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公开(公告)号：CN110491967B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910823544.0
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 上海联芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/173 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅，第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合；反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法，并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上，硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度，适用于光电隔离器的集成技术领域。
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公开(公告)号：CN102723920A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210250081.1
申请日：2012-07-19
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03F3/45
摘要： 本发明公开了一种运算放大器跨导稳定电路结构，它属于模拟集成电路技术，特别涉及一种能够稳定运算放大器的跨导，减小工艺偏差以及工作环境对运算放大器输入对管造成的影响，并且能够将不同运算放大器的跨导稳定于同样的值。该结构包含;一跨导跟踪电路301，一差分比较器电路302，一编码电路303，一电流控制电路304。本发明通过采用跨导跟踪电路检测运算放大器跨导的变化，并以此调节运算放大器的工作电流，达到稳定运算放大器跨导的作用；对于多个运算放大器，通过对每个运算放大器跨导的依次调节，可以使其达到一个相同的值，以提高相关电路的性能。
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公开(公告)号：CN117650058A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311661337.2
申请日：2023-12-06
申请人： 电子科技大学
摘要： 发明提出了一种半导体晶圆级的减薄制备技术并直接进行晶圆级柔性封装的方法。该方法的特点在于：在原晶圆钝化焊点处通过电镀形成金属柱，再通过旋转涂胶等方法，在已形成金属柱的晶圆正面上形成一层聚酰亚胺柔性封装层，此后通过化学机械抛光将聚酰亚胺柔性封装层研磨至裸露出金属柱，之后便可进行晶圆背面减薄与晶圆正面植球等工艺，完成晶圆级柔性封装。本发明最大限度减小了柔性芯片的寄生参数，并实现了规模化晶圆级柔性芯片封装，大幅提高了生产良率。本发明属于半导体技术领域。
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公开(公告)号：CN107342286B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710490849.5
申请日：2017-06-23
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/739
摘要： 一种具有表面双栅控制的横向RC‑IGBT器件，属于功率半导体技术领域。该器件在传统结构的续流二极管上串联了一个MOS管，通过第二栅极来控制这个MOS管开启与关闭，达到和传统结构相同的器件功能：当RC‑IGBT正向工作时，MOS管关闭，传统结构中的N+集电区被MOS管隔离，此时器件相当于纯粹的IGBT，完全消除了传统结构中的电压折回现象；当器件反向工作时，通过第二栅极来控制MOS管开启，续流二极管得以正常工作。同时，与传统的纵向结构器件不同，本发明属于横向器件，器件建立在外延层上，器件的实现无需背面工艺，大大降低了工艺难度；通过RESURF结构，也增强了器件的横向耐压能力。
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公开(公告)号：CN108389853A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810271390.4
申请日：2018-03-29
申请人： 电子科技大学 , 广东成利泰科技有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川明泰电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/31 , H02M7/00
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构，包括塑封体、四个技术指标相同的二极管芯片、一个单向TVS芯片、第一～第四引线框架；单向TVS芯片顶面为P型，固定设于第二引线框架上，并通过导线连接第四引线框架；两个二极管芯片顶面均为P型，固定设于第二引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另外两个二极管芯片顶面均为N型，固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作为输入引脚，第二、第四引线框架分别作为输出正、负极引脚。本发明将单向TVS芯片设置于传统整流桥之后，布局紧凑、成本降低、厚度更薄。本发明适用于电子器件技术领域。
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公开(公告)号：CN102723920B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210250081.1
申请日：2012-07-19
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03F3/45
摘要： 本发明公开了一种运算放大器跨导稳定电路结构，它属于模拟集成电路技术，特别涉及一种能够稳定运算放大器的跨导，减小工艺偏差以及工作环境对运算放大器输入对管造成的影响，并且能够将不同运算放大器的跨导稳定于同样的值。该结构包含;一跨导跟踪电路301，一差分比较器电路302，一编码电路303，一电流控制电路304。本发明通过采用跨导跟踪电路检测运算放大器跨导的变化，并以此调节运算放大器的工作电流，达到稳定运算放大器跨导的作用；对于多个运算放大器，通过对每个运算放大器跨导的依次调节，可以使其达到一个相同的值，以提高相关电路的性能。
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公开(公告)号：CN110518087B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201910823539.X
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L31/173 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种单芯片LED光电耦合器，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅光探测器、第一介质层和LED光源。本发明还公开了上述单芯片LED光电耦合器的制作方法。本发明进一步公开了一种单芯片LED光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的光源探测器和LED光源制作在同一个衬底上，相比传统的使用点胶工艺制作平面结构的光电耦合器或者制作轴向结构的光电耦合器时需要对光源与光探测器进行电焊，其器件集成度高、封装尺寸减小，降低了制作难度和成本。本发明的单芯片LED光电耦合器，能够与电路集成在同一个衬底上，进一步降低制作成本，提高电路(56)对比文件Sun，Hongliang，et.al.“A novelpolysilicon light source and its on-chipoptical interconnection structuredesign”《.SPIE》.2019,第1102342-1至1102342-6页.
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公开(公告)号：CN110635008A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910932154.7
申请日：2019-09-29
申请人： 电子科技大学 , 四川晶辉半导体有限公司 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东气派科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本发明采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本发明适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。
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