本发明公开了一种基于高介电常数电介质叉指电容的隔离芯片制备方法，包括：在玻璃等绝缘衬底上沉积第一层铝等互联金属膜，并在第一层铝等互联金属膜的上面沉积一层光刻胶，并根据预先设计的光刻版图，刻蚀掉第一层铝等互联金属膜的中部金属区域覆盖的光刻胶，保留右侧的光刻胶，生长高介电常数电介质薄膜，生成第一层高介电常数电介质电容；在第一层高介电常数电介质左侧生长第二层高介电常数电介质电容；重复上述叉指操作直到在最顶端生长一层铝等互联金属膜；采用lift‑off工艺，刻蚀掉最顶层高介电常数电介质电容的中部光刻胶及其上方对应的铝等互联金属膜，左右两侧形成互联引线，生成隔离芯片。