发明公开
- 专利标题: 一种基于新型前驱体材料的氧化锆薄膜制备方法
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申请号: CN202311668557.8申请日: 2023-12-07
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公开(公告)号: CN117660926A公开(公告)日: 2024-03-08
- 发明人: 席慧敏 , 顾玲 , 翁圣斐
- 申请人: 江苏雅克科技股份有限公司 , 江苏先科半导体新材料有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市宜兴经济开发区荆溪北路16号
- 专利权人: 江苏雅克科技股份有限公司,江苏先科半导体新材料有限公司
- 当前专利权人: 江苏雅克科技股份有限公司,江苏先科半导体新材料有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市宜兴经济开发区荆溪北路16号
- 代理机构: 南京苏高专利商标事务所
- 代理商 向文
- 主分类号: C23C16/40
- IPC分类号: C23C16/40 ; C23C16/455 ; C07F7/00
摘要:
本发明公开了一种基于新型前驱体材料的氧化锆薄膜制备方法,包括如下步骤:将四(二甲氨基)锆缓慢加入环戊二烯,甲苯溶液中进行反应,反应完成后,在减压下除去溶液中的所有溶剂,将剩余的粘性黄色液体在真空下蒸馏,得到化合物CpZr(NMe2)3;将CpZr(NMe2)3作为异感官金属有机前驱体,以氧气作为氧源,通过原子层沉积(ALD)技术制备获得氧化锆薄膜。本发明通过利用新型异感官金属有机前驱体环戊二烯三(二甲基氨基)锆CpZr(NMe2)3作用于制备氧化锆薄膜的原子层沉积(ALD)工艺中,并且利用O2作为含氧反应物,能够有效提高氧化锆薄膜的质量和热稳定性。
IPC分类: