公开(公告)号：CN117626217A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311672770.6

申请日：2023-12-07

申请人： 江苏雅克科技股份有限公司 ,  江苏先科半导体新材料有限公司

发明人： 朱丹萍 ,  张香梅 ,  席慧敏 ,  谢东颖 ,  翁圣斐 ,  顾玲

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455

摘要： 本发明公开了一种基于新型前驱体和PE‑ALD的氧化铪薄膜的制备方法，包括：将基底放置在ALD设备中，设定沉积温度范围；将前驱体CpHf(NMe2)3引入到ALD设备的反应室内，前驱体与预先通入的等离子体在设定的沉积温度范围内进行反应；CpHf(NMe2)3前驱体在反应室内按照设定的沉积温度范围进行原子层沉积，通过控制GPC，使前驱体在基底表面生成氧化铪薄膜。本发明通过使用特定前驱体和等离子体增强原子层沉积方法，制备的氧化铪薄膜具备高纯度、热稳定性好、元素分布均匀、高介电常数等诸多优点。

公开(公告)号：CN117660926A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311668557.8

申请日：2023-12-07

申请人： 江苏雅克科技股份有限公司 ,  江苏先科半导体新材料有限公司

发明人： 席慧敏 ,  顾玲 ,  翁圣斐

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C07F7/00

摘要： 本发明公开了一种基于新型前驱体材料的氧化锆薄膜制备方法，包括如下步骤：将四(二甲氨基)锆缓慢加入环戊二烯，甲苯溶液中进行反应，反应完成后，在减压下除去溶液中的所有溶剂，将剩余的粘性黄色液体在真空下蒸馏，得到化合物CpZr(NMe2)3；将CpZr(NMe2)3作为异感官金属有机前驱体，以氧气作为氧源，通过原子层沉积(ALD)技术制备获得氧化锆薄膜。本发明通过利用新型异感官金属有机前驱体环戊二烯三(二甲基氨基)锆CpZr(NMe2)3作用于制备氧化锆薄膜的原子层沉积(ALD)工艺中，并且利用O2作为含氧反应物，能够有效提高氧化锆薄膜的质量和热稳定性。