本发明涉及一种JFET区具有阻挡层的MOSFET及其制备方法，MOSFET包括：衬底层、漂移层、P型基区、P+体区、N+源区、沟道区、侧翼阻挡层和中间阻挡层，其中，侧翼阻挡层位于中间阻挡层的两侧，由漂移层的上表面延伸至漂移层的内部，且侧翼阻挡层的一侧与沟道区接触；侧翼阻挡层的厚度小于中间阻挡层的厚度，掺杂浓度大于中间阻挡层的掺杂浓度。本发明的器件进入短路状态时，PN结产生的耗尽层主要向中间阻挡层的位置扩展，中间阻挡层可以减缓器件的温度积累，提升器件的短路耐受时间，侧翼阻挡层使得器件能够保持较低的导通电阻，本发明提供的MOSFET同时具有良好的导通特性和短路耐受能力。