本发明提供一种PECVD沉积P‑poly硅的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空和PECVD沉积；其中，所述升温的目标温度≤500℃；所述PECVD沉积的压力≤5000mTorr，功率≤18kW，脉冲开关比≥1/25，工艺气体包括SiH4和B2H6，稀释气体包括H2和/或Ar。本发明提供的方法在PECVD沉积P‑poly硅的过程中，解决了爆膜和粉尘等问题的同时避免了石墨舟炉口烧焦，提升了膜色均匀性，有利于大规模推广应用。