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公开(公告)号：CN117766600A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311783594.3
申请日：2023-12-22
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C16/515 , C23C16/56 , C23C16/02 , C23C16/22
摘要： 本发明提供了一种PECVD沉积BSG‑硼源层制备硼发射极的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述PECVD沉积的温度为250‑500℃，压力为800‑3000mTorr，工艺气体包括SiH4、B2H6和N2O，稀释气体包括Ar、H2或N2中的任意一种或至少两种的组合。本发明提供的方法特别适用于大尺寸电池在大管径的PECVD设备上沉积BSG，提升了硼掺杂均匀性及掺杂浓度，降低了表面BSG层去除难度，改善了钝化效果，同时简化了工艺流程，提高了生产效率，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN117766600B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311783594.3
申请日：2023-12-22
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C16/515 , C23C16/56 , C23C16/02 , C23C16/22
摘要： 本发明提供了一种PECVD沉积BSG‑硼源层制备硼发射极的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述PECVD沉积的温度为250‑500℃，压力为800‑3000mTorr，工艺气体包括SiH4、B2H6和N2O，稀释气体包括Ar、H2或N2中的任意一种或至少两种的组合。本发明提供的方法特别适用于大尺寸电池在大管径的PECVD设备上沉积BSG，提升了硼掺杂均匀性及掺杂浓度，降低了表面BSG层去除难度，改善了钝化效果，同时简化了工艺流程，提高了生产效率，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN117721439A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311789206.2
申请日：2023-12-22
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/02 , C23C16/56
摘要： 本发明提供一种基于乙硼烷气体进行PECVD沉积P‑poly硅的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述升温的目标温度为250‑420℃；所述PECVD沉积的压力为1000‑3000mTorr，工艺气体包括SiH4和B2H6，稀释气体包括H2和/或Ar。本发明提供的方法克服了传统LPCVD沉积存在的诸多问题，缩短了耗时及制程，降低了能耗，提升了转换效率，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN117721438A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311783520.X
申请日：2023-12-22
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/02
摘要： 本发明提供一种PECVD沉积P‑poly硅的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空和PECVD沉积；其中，所述升温的目标温度≤500℃；所述PECVD沉积的压力≤5000mTorr，功率≤18kW，脉冲开关比≥1/25，工艺气体包括SiH4和B2H6，稀释气体包括H2和/或Ar。本发明提供的方法在PECVD沉积P‑poly硅的过程中，解决了爆膜和粉尘等问题的同时避免了石墨舟炉口烧焦，提升了膜色均匀性，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN117184852A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311114290.8
申请日：2023-08-30
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种花篮转运系统，包括至少两个升降组件和横向转运组件，至少一个所述升降组件用于实现花篮的上料，至少一个所述升降组件用于实现花篮的下料，且所述升降组件包括位于底部的横向单元；所述横向转运组件设于多个所述升降组件之间并用于实现所述花篮在至少两个所述升降组件之间的转移；所述横向单元可上下移动并具有转运位置和避让位置，在所述转运位置，所述横向单元用于将所述花篮向输送设备转运或转接输送设备输送的所述花篮，在所述避让位置，所述横向单元与所述花篮脱离以使所述横向转运组件可将所述花篮从一个所述升降组件输送至另一个所述升降组件。本发明实施例的花篮转运系统具有花篮转运的可靠性较高的优点。
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公开(公告)号：CN116995138A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310989578.3
申请日：2023-08-07
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/06
摘要： 本发明涉及太阳能光伏电池技术本领域且公开了一种遂穿氧化层的制备方法、TOPCon电池硅片和TOPCon电池，所述遂穿氧化层的制备方法包括以下步骤：S1、对硅片的背面进行清洗抛光处理；S2、将清洗抛光后的所述硅片放置在工艺腔室内，所述工艺腔室升温至第一预设温度，向所述工艺腔室内通入具有刻蚀作用的第一气体，利用所述第一气体对所述硅片背面的自然氧化层进行刻蚀处理；S3、在所述硅片的背面沉积遂穿氧化层。本发明实施例的遂穿氧化层的制备方法制备的遂穿氧化层具有均匀性好的优点。
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公开(公告)号：CN117012853A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310954986.5
申请日：2023-07-31
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种硅片背抛后的清洗方法和TOPcon电池及其制备方法，属于TOPcon电池技术领域。所述硅片背抛后的清洗方法包括以下步骤：提供背抛后的硅片；用氢氟酸溶液对所述硅片进行酸洗处理，去除所述硅片背面的自然氧化层。通过所述硅片背抛后的清洗方法，可以去除硅片背面的自然氧化层，方便后续在隧穿氧化层沉积工序中均匀地控制隧穿氧化层的厚度，进而可有效地避免直接生长的隧穿氧化层偏厚或均匀性较差的问题，从而提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN118610312A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410808474.2
申请日：2024-06-20
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种钝化晶舟和钝化装置，属于钝化设备技术领域，用于钝化电池片的待钝化面，钝化晶舟包括：舟托，舟托的容置腔包括：钝化通道，用以通过钝化气流；小舟容置区，小舟容置区设置有若干个；若干个小舟容置区随钝化气流的运动路线设置在钝化通道的外侧，且若干个小舟容置区围绕钝化通道；和小舟，小舟设置在小舟容置区中；小舟包括舟主体，舟主体设置有一带敞口端面的电池片仓；其中，每个小舟容置区容置若干个小舟，所有小舟容置区中的小舟的敞口端面朝向钝化通道，且待钝化面位于敞口端面处，使得钝化通道的钝化气流作用在电池片的待钝化面上；达到电池片批量钝化均匀的技术效果。
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公开(公告)号：CN117380663A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311480129.2
申请日：2023-11-07
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： B08B7/00
摘要： 本发明公开了一种载片舟清洗装置，属于硅片生产技术领域。载片舟清洗装置包括内壳、外壳和密封组件，所述内壳置于所述外壳内，所述外壳具有第一开口，所述内壳具有反应腔以及与所述反应腔连通的第二开口，待清洗的载片舟在所述反应腔内被清洁气体清洗；所述密封组件包括第一密封件和第二密封件，所述第一密封件用于密封所述第一开口，所述第二密封件用于密封所述第二开口。本发明实施例的载片舟清洗装置具有清洗效率高，采用双腔设计，利用外壳保护内壳，保证内壳的反应腔正常工作；通过密封组件来封堵第一开口和第二开口，达到双重密封的效果，提高了载片舟清洗装置的密封性，避免清洗气体逸出等优点。
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公开(公告)号：CN117259345A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311472598.X
申请日：2023-11-07
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： B08B7/00
摘要： 本发明提供了一种石墨舟清洗方法及使用该方法的清洗装置，所述清洗方法包括：对石墨舟所在的反应空间进行加热，加热过程设置至少3个梯度的温度区域；对石墨舟所在的反应空间输送反应气体，反应气体沿温度区域变化方向流动，且相邻的温度区域的温度沿反应气体的流动方向依次升高。本发明提供的清洗方法具清洗效果好，清洗完全，清洗均匀性高，清洗效率高，气体利用率高的优点。
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