发明公开
- 专利标题： 一种基于互溶界面修饰层的阻变存储器及其制备方法
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申请号： CN202311840895.5申请日： 2023-12-29
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公开(公告)号： CN117750875A公开(公告)日： 2024-03-22
- 发明人: 屈文山 , 王雪晨 , 武慧庭 , 李伟 , 高志翔 , 赵金金 , 朱弘伟 , 张静远
- 申请人： 山西大同大学
- 申请人地址： 山西省大同市平城区兴云街405号
- 专利权人： 山西大同大学
- 当前专利权人： 山西大同大学
- 当前专利权人地址： 山西省大同市平城区兴云街405号
- 代理机构： 山西五维专利事务所
- 代理商 茹牡花
- 主分类号： H10N70/00
- IPC分类号： H10N70/00 ; H10N70/20 ; H10B63/00
摘要：
本发明公开了一种基于互溶界面修饰层的高性能阻变存储器及其制备方法。该有机阻变存储器包括在玻璃基底上从下至上依次设置的ITO层、ITO/阻变层界面修饰层、阻变层、阻变层/Al界面修饰层和作为顶电极的金属Al层，所述阻变层为一定厚度的导电聚合物PEDOT:PSS掺杂纳米SnO2层，所述ITO/阻变层界面修饰层和阻变层/Al界面修饰层分别为一定厚度的导电聚合物PEDOT:PSS层和纳米SnO2层，并且均与阻变层形成互溶界面，提高了器件的载流子迁移性能，提高了阻变存储器的性能。本发明的高性能阻变存储器可采用工艺简单、成本低的溶液法制备，易于实现批量化生产。