公开(公告)号：CN117750875A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311840895.5

申请日：2023-12-29

申请人： 山西大同大学

发明人： 屈文山 ,  王雪晨 ,  武慧庭 ,  李伟 ,  高志翔 ,  赵金金 ,  朱弘伟 ,  张静远

IPC分类号： H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/00

摘要： 本发明公开了一种基于互溶界面修饰层的高性能阻变存储器及其制备方法。该有机阻变存储器包括在玻璃基底上从下至上依次设置的ITO层、ITO/阻变层界面修饰层、阻变层、阻变层/Al界面修饰层和作为顶电极的金属Al层，所述阻变层为一定厚度的导电聚合物PEDOT:PSS掺杂纳米SnO2层，所述ITO/阻变层界面修饰层和阻变层/Al界面修饰层分别为一定厚度的导电聚合物PEDOT:PSS层和纳米SnO2层，并且均与阻变层形成互溶界面，提高了器件的载流子迁移性能，提高了阻变存储器的性能。本发明的高性能阻变存储器可采用工艺简单、成本低的溶液法制备，易于实现批量化生产。

公开(公告)号：CN117820346A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311832051.6

申请日：2023-12-28

申请人： 山西大同大学

发明人： 屈文山 ,  高志翔 ,  门丹丹 ,  赵金金 ,  李建刚 ,  张静远

IPC分类号： C07F5/02 ,  C09K11/06 ,  H10K85/60 ,  H10K85/30 ,  H10K50/11

摘要： 本发明提供一种基于二苯并呋喃的蓝光材料及其制备方法和应用，属于有机电致发光材料技术领域。本发明提供的蓝光材料以萘基团为π桥，在萘环上引入二苯并呋喃电子给体及螺硼啶或二芳基硼衍生物电子受体结构，构成D‑π‑A型分子结构。该蓝光材料中，萘基团中心核具有平面对称结构，电子受体具有非平面刚性结构，二者提供吸电子效应、共轭效应和空间位阻效应，二者与二苯并呋喃基配合形成具有扭曲结构的D‑π‑A分子结构，有利于材料实现蓝光发射。同时，共轭效应有利于降低体系的能量，提高材料的热稳定性；共轭效应与空间位阻效应能够提高分子结构刚性、抑制分子间相互作用引起的非辐射跃迁，提高材料荧光量子产率，从而提高材料的发光效率。

公开(公告)号：CN117820345A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311831672.2

申请日：2023-12-28

申请人： 山西大同大学

发明人： 屈文山 ,  高志翔 ,  赵金金 ,  门丹丹 ,  李建刚 ,  张静远

IPC分类号： C07F5/02 ,  C09K11/06 ,  H10K85/60 ,  H10K85/30 ,  H10K50/11

摘要： 本发明提供一种基于二苯并呋喃‑氮杂稠环的蓝光材料及其制备和应用，涉及有机电致发光材料技术领域。本发明提供的基于二苯并呋喃‑氮杂稠环的蓝光材料是以二苯并呋喃为给电子基团，在二苯并呋喃的苯环上引入适当的氮杂稠环吸电子取代基作为桥连基团，并引入具有空间位阻作用的芳基硼衍生物第二受体，形成D‑π‑A形结构，有利于实现宽带隙蓝光发射。并且，本发明所提供的蓝光材料，分子结构中二苯并呋喃给电子基团以及含有氮杂稠环的π桥具有刚性结构，有利于减少非辐射跃迁路径；具有空间位阻作用的芳基硼衍生物电子受体的引入能够抑制π‑π堆积，避免分子因聚集而出现发光猝灭，极大地提高了材料的发光效率。