发明公开
- 专利标题: 一种TiN-Fe2O3复合电极材料的制备方法及其应用
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申请号: CN202410025683.X申请日: 2024-01-08
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公开(公告)号: CN117766310A公开(公告)日: 2024-03-26
- 发明人: 曹建春 , 张永果 , 周晓龙 , 张正云 , 刘星 , 卢超 , 罗翰宇 , 张金昌 , 杨银辉
- 申请人: 昆明理工大学
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号
- 专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号
- 代理机构: 昆明隆合知识产权代理事务所
- 代理商 张沛钦
- 主分类号: H01G11/86
- IPC分类号: H01G11/86 ; H01G11/30
摘要:
本发明公开了一种TiN‑Fe2O3复合电极材料的制备方法及其应用,属于超级电容器技术领域。本发明提供一种TiN‑Fe2O3纳米复合材料的制备方法,包括通过水热法制备氮化钛纳米片和三氧化二铁纳米颗粒材料,并通过超声分散制备TiN‑Fe2O3纳米复合材料;本发明通过引入TiN,由于互连的离子/电子传输通道的密集网络能够实现更大的电子迁移率,有效改善Fe2O3导电性,制备的复合电极材料具有较高比电容。实施例结果显示,本发明所制备TiN‑Fe2O3复合电极材料在1A·g‑1下的比电容可达998F·g‑1。