Invention Publication
CN117794248A 半导体存储器件
审中-公开
- Patent Title: 半导体存储器件
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Application No.: CN202310564136.4Application Date: 2023-05-18
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Publication No.: CN117794248APublication Date: 2024-03-29
- Inventor: 李全一 , 李炅奂
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市立方律师事务所
- Agent 李娜; 王占杰
- Priority: 10-2022-0122302 20220927 KR
- Main IPC: H10B51/20
- IPC: H10B51/20 ; H10B51/30
Abstract:
一种半导体存储器件包括单元串以及连接到所述单元串的第一导电柱和第二导电柱。所述单元串包括彼此间隔开地堆叠在衬底上的多个存储单元。所述第一导电柱在第一方向上与所述第二导电柱间隔开。每个所述存储单元包括在所述第一方向上从所述第一导电柱延伸到所述第二导电柱的沟道层、位于所述沟道层上的铁电层以及位于所述铁电层上的电极。所述沟道层包括单晶硅。
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