发明公开
- 专利标题： 一种纳米级高纯二氧化锗的制备方法
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申请号： CN202410062556.7申请日： 2024-01-16
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公开(公告)号： CN117819592A公开(公告)日： 2024-04-05
- 发明人: 普世坤 , 蒯志奎 , 吴涛 , 吴王昌 , 李正美 , 侯志毅 , 张朝阳 , 王仙琴 , 赵思琪 , 陈代凤 , 王美春 , 林作亮 , 李长林
- 申请人： 云南大学 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
- 申请人地址： 云南省昆明市五华区翠湖北路2号;
- 专利权人： 云南大学,云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
- 当前专利权人： 云南大学,云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
- 当前专利权人地址： 云南省昆明市五华区翠湖北路2号;
- 代理机构： 昆明祥和知识产权代理有限公司
- 代理商 唐德林
- 主分类号： C01G17/02
- IPC分类号： C01G17/02
摘要：
本发明属于稀有金属高纯材料制备技术领域，具体涉及纳米级高纯二氧化锗的制备方法，准备高纯四氯化锗、聚乙烯醇溶液和水，混合搅拌配制成混合溶液，然后通过水解反应提取二氧化锗，对生成的高纯二氧化锗再利用超声波进行强化来制备纳米级二氧化锗，以得到更小粒径的高纯二氧化锗。
IPC分类:
