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公开(公告)号：CN117819592A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410062556.7
申请日：2024-01-16
申请人： 云南大学 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC分类号： C01G17/02
摘要： 本发明属于稀有金属高纯材料制备技术领域，具体涉及纳米级高纯二氧化锗的制备方法，准备高纯四氯化锗、聚乙烯醇溶液和水，混合搅拌配制成混合溶液，然后通过水解反应提取二氧化锗，对生成的高纯二氧化锗再利用超声波进行强化来制备纳米级二氧化锗，以得到更小粒径的高纯二氧化锗。
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公开(公告)号：CN114921664A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210615858.3
申请日：2022-06-01
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南大学 , 云南东昌金属加工有限公司
摘要： 本发明涉及湿法冶金技术领域，具体公开了一种采用三段浸出法提取低品位锗富集物（Ge≤1%）中锗的方法，即将低品位锗富集物经过两次硫化钠溶液浸出后，再用一次硫酸‑氟化铵溶液浸出，将第一次硫化钠浸出液和第三次硫酸浸出液混合后，用浸出液调节溶液的pH到3‑4，再加入三氯化铁溶液沉淀锗，并用氨水溶液调节pH值至碱性沉淀回收锗，再将得到的含锗沉淀物在500℃下焙烧得到高品位的锗精矿，第二次硫化钠浸出液作为下一次浸出时的第一次浸出液使用。采用本发明的锗提取方法，解决了低品位锗富集物中锗提取的技术难题，总浸出率达到95.16%以上，锗沉淀率达到99.2%以上，避免了直接氯化法提取低品位锗富集物时锗回收率低、提取成本高、环境影响大等问题。
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公开(公告)号：CN114921664B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210615858.3
申请日：2022-06-01
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南大学 , 云南东昌金属加工有限公司
摘要： 本发明涉及湿法冶金技术领域，具体公开了一种采用三段浸出法提取低品位锗富集物（Ge≤1%）中锗的方法，即将低品位锗富集物经过两次硫化钠溶液浸出后，再用一次硫酸‑氟化铵溶液浸出，将第一次硫化钠浸出液和第三次硫酸浸出液混合后，用浸出液调节溶液的pH到3‑4，再加入三氯化铁溶液沉淀锗，并用氨水溶液调节pH值至碱性沉淀回收锗，再将得到的含锗沉淀物在500℃下焙烧得到高品位的锗精矿，第二次硫化钠浸出液作为下一次浸出时的第一次浸出液使用。采用本发明的锗提取方法，解决了低品位锗富集物中锗提取的技术难题，总浸出率达到95.16%以上，锗沉淀率达到99.2%以上，避免了直接氯化法提取低品位锗富集物时锗回收率低、提取成本高、环境影响大等问题。
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公开(公告)号：CN109097603B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201811059018.3
申请日：2018-09-12
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
IPC分类号： C22B41/00
摘要： 本发明公开了一种从锗晶片精深加工废酸中回收锗的工艺方法，其包括以下步骤：步骤S10、锗晶片精深加工废酸经预处理除去氟并调节pH值后得到碱性含锗溶液；步骤S20、将碱性含锗溶液通过纳滤膜过滤，透过纳滤膜过滤将碱性含锗溶液分为透过纳滤膜的透过液和未透过纳滤膜的截留液；步骤S30、透过液经蒸发浓缩、冷却析晶得到硝酸钠晶体，冷却母液回用于步骤S10中调节PH值工段；截留液经蒸发结晶得到锗精矿，锗精矿经氯化蒸馏回收锗。该工艺方法工艺简单、耗时短、自动化程度高、可实现连续化操作，药剂使用量少、锗回收率高，且所回收得到的锗精矿中锗的含量大于等于15％。
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公开(公告)号：CN118600549A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410739465.2
申请日：2024-06-07
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 本发明属于半导体衬底材料制备技术领域，具体涉及一种锑化镓多晶的合成系统及方法，该系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成。基于该系统，按照装填物料、升温熔化以及多晶合成的步骤生产锑化镓多晶。合成系统通过对高温熔体施加磁场，在电磁力的作用下强化熔体流动，达到搅拌熔体的目的，无需额外干预。该合成方法通过梯度式凝固，提高晶体完整性。
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公开(公告)号：CN108048672B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201810115436.3
申请日：2018-02-06
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 一种热还原挥发提取低品位锗精矿中锗的提取炉及提取方法，尤其是一种采用高温热还原挥发方法，提取低品位锗精矿中锗的提取炉及提取方法。本发明的提取炉包括顺序连接的挥发炉、冷却器以及收尘器，挥发炉包括外壳、炉体、隔板、导轨、隔热棉以及加热电阻丝，外壳套装在炉体外部，隔热棉填充在外壳与炉体之间的间隙中，加热电阻丝设置在炉体外壁上；隔板为两块，竖直固定在炉体的顶部内壁，将炉体内部分割为三部分，从前至后分别为预热区、高温恒温区以及冷却区；导轨设置在炉体中间靠下位置。本发明采三段式提锗炉，优化提锗流程，减少热量损失，提高了锗矿冶炼的富集倍数和锗精矿的品位，所得的锗精矿品位高，能达到20%以上，有利于后续工艺。
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公开(公告)号：CN112730591A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110094053.4
申请日：2021-01-25
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
IPC分类号： G01N27/62
摘要： 本发明属于有色金属产品检测技术领域，具体公开一种测定高纯四氟化锗中痕量杂质元素含量的采样及测试方法，包括采样、制样、样品处理和使用电感耦合等离子体质谱法对高纯四氟化锗进行分析测定等步骤。采样过程中将采样装置充入一定量氮气放置于40‑50℃水中恒温沉化1‑2h，恒温沉化后，使用高纯氮气充入采样装置容积的60％‑80％进行反复冲洗3‑4次，然后从产品瓶中取得0.3g－1.0g的高纯四氟化锗样品。本发明建立了一种简单高效、快速准确的高纯四氟化锗样品微量金属杂质含量的测定方法。以实际样品对该测量方法进行测试评估，本发明的测试方法前处理简便可靠，测量结果具有较高的灵敏度和精密度，可作为高纯四氟化锗中痕量杂质含量的检测方法。
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公开(公告)号：CN112730591B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110094053.4
申请日：2021-01-25
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
IPC分类号： G01N27/62
摘要： 本发明属于有色金属产品检测技术领域，具体公开一种测定高纯四氟化锗中痕量杂质元素含量的采样及测试方法，包括采样、制样、样品处理和使用电感耦合等离子体质谱法对高纯四氟化锗进行分析测定等步骤。采样过程中将采样装置充入一定量氮气放置于40‑50℃水中恒温沉化1‑2h，恒温沉化后，使用高纯氮气充入采样装置容积的60％‑80％进行反复冲洗3‑4次，然后从产品瓶中取得0.3g－1.0g的高纯四氟化锗样品。本发明建立了一种简单高效、快速准确的高纯四氟化锗样品微量金属杂质含量的测定方法。以实际样品对该测量方法进行测试评估，本发明的测试方法前处理简便可靠，测量结果具有较高的灵敏度和精密度，可作为高纯四氟化锗中痕量杂质含量的检测方法。
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公开(公告)号：CN111321469A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010262959.8
申请日：2020-04-07
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘及粘接方法，所述籽晶粘接盘包括籽晶和石墨圆板，籽晶粘接于石墨圆板上，所述石墨圆板直径不小于籽晶直径，石墨圆板上设置有数个等间距的凹坑，凹坑外缘与籽晶边缘相切，然后使用粘接剂将籽晶粘接在改造后的粘接盘上，本发明所涉及的籽晶粘接盘结构减小了籽晶粘接应力，使得PVT方法生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低，晶体更容易与粘接盘分离。所需结构无须过高成本，却改善了晶体材料的质量，而且可以减少企业的生产成本，使得碳化硅材料在半导体领域的应用中发挥更好更高效的作用。
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公开(公告)号：CN109097603A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811059018.3
申请日：2018-09-12
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
IPC分类号： C22B41/00
摘要： 本发明公开了一种从锗晶片精深加工废酸中回收锗的工艺方法，其包括以下步骤：步骤S10、锗晶片精深加工废酸经预处理除去氟并调节pH值后得到碱性含锗溶液；步骤S20、将碱性含锗溶液通过纳滤膜过滤，透过纳滤膜过滤将碱性含锗溶液分为透过纳滤膜的透过液和未透过纳滤膜的截留液；步骤S30、透过液经蒸发浓缩、冷却析晶得到硝酸钠晶体，冷却母液回用于步骤S10中调节PH值工段；截留液经蒸发结晶得到锗精矿，锗精矿经氯化蒸馏回收锗。该工艺方法工艺简单、耗时短、自动化程度高、可实现连续化操作，药剂使用量少、锗回收率高，且所回收得到的锗精矿中锗的含量大于等于15％。
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