Invention Publication
- Patent Title: 磁电阻敏感传感器和操作磁电阻敏感传感器的方法
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Application No.: CN202211194967.9Application Date: 2022-09-27
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Publication No.: CN117826038APublication Date: 2024-04-05
- Inventor: 丰家峰 , 韩秀峰 , 梁云 , 魏红祥 , 司文荣 , 黄辉 , 邓辉
- Applicant: 中国科学院物理研究所 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网上海市电力公司
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村南三街8号; ;
- Assignee: 中国科学院物理研究所,国网智能电网研究院有限公司,国网上海市电力公司
- Current Assignee: 中国科学院物理研究所,国网智能电网研究院有限公司,国网上海市电力公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村南三街8号; ;
- Agency: 北京市正见永申律师事务所
- Agent 黄小临; 冯玉清
- Main IPC: G01R33/09
- IPC: G01R33/09

Abstract:
本申请涉及一种磁电阻敏感传感器及操作磁电阻敏感传感器的方法。磁电阻敏感传感器包括交换偏置结构,其包括反铁磁层和形成在反铁磁层上的铁磁层,反铁磁层通过交换偏置作用向铁磁层施加交换偏置磁场;和模式选择开关,其用于在施加给交换偏置结构的第一电流和第二电流之间切换,其中,当第一电流施加到交换偏置结构时,交换偏置结构工作在第一模式,当第二电流施加到交换偏置结构时,交换偏置结构工作在第二模式,且第一电流小于第二电流,使得第一模式具有比第二模式更大的线性工作范围,并且第二模式具有比第一模式更高的灵敏度。根据本公开的磁电阻敏感传感器及操作方法优化磁电阻敏感传感器的线性磁场范围和灵敏度等。
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