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公开(公告)号：CN118425593A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410556656.5
申请日：2024-05-07
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 中国科学院物理研究所 , 国网上海市电力公司
摘要： 一种大量程高精度磁敏电流传感器数据采集方法，包括TMR、仪表放大器、模数转换器，微控制单元和可编程电阻；TMR用于将待测电流或者磁场信号转换成电压信号，输入至仪表放大器；仪表放大器将转换得到的电压信号放大，然后通过模数转换器传输至微控制单元；微控制单元根据接收到的电压数字信号改变可编程电阻的大小，并将可编程电阻接入到仪表放大器从而实时调整仪表放大器至最佳放大倍数；微控制单元根据最佳放大倍数下获得的电压值，标定计算待测电流值；本发明通过改变可编程电阻的阻值，来改变仪表放大器的放大倍数，等效于提高模数转换器的精度，即本发明在不提升成本的情况下，实现了大量程高精度采集；本发明成本低、电路简单。
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公开(公告)号：CN117826038A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211194967.9
申请日：2022-09-27
申请人： 中国科学院物理研究所 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本申请涉及一种磁电阻敏感传感器及操作磁电阻敏感传感器的方法。磁电阻敏感传感器包括交换偏置结构，其包括反铁磁层和形成在反铁磁层上的铁磁层，反铁磁层通过交换偏置作用向铁磁层施加交换偏置磁场；和模式选择开关，其用于在施加给交换偏置结构的第一电流和第二电流之间切换，其中，当第一电流施加到交换偏置结构时，交换偏置结构工作在第一模式，当第二电流施加到交换偏置结构时，交换偏置结构工作在第二模式，且第一电流小于第二电流，使得第一模式具有比第二模式更大的线性工作范围，并且第二模式具有比第一模式更高的灵敏度。根据本公开的磁电阻敏感传感器及操作方法优化磁电阻敏感传感器的线性磁场范围和灵敏度等。
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公开(公告)号：CN117518045A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311368253.X
申请日：2023-10-20
申请人： 中国科学院物理研究所 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明涉及适于多温况对交变磁场快速响应的隧穿磁电阻磁敏传感器。一种磁敏传感器可包括串联连接在惠斯通电桥的第一臂中的第一磁性隧道结和第三磁性隧道结，以及串联连接在惠斯通电桥的第二臂中的第二磁性隧道结和第四磁性隧道结。第一磁性隧道结和第四磁性隧道结的参考磁层的磁化方向可以设置为沿第一方向，第二磁性隧道结和第三磁性隧道结的参考磁层的磁化方向可以设置为沿与第一方向相反的第二方向。惠斯通电桥的两端用于接收输入电压，第一磁性隧道结和第三磁性隧道结之间的第一节点与第二磁性隧道结和第四磁性隧道结之间的第二节点用于提供输出电压。
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公开(公告)号：CN115968246A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111186841.2
申请日：2021-10-12
申请人： 中国科学院物理研究所 , 国网上海市电力公司 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H10N15/20
摘要： 本发明涉及基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件。根据一实施例，一种热电器件包括磁性多层膜结构和包围磁性多层膜结构的保护层，磁性多层膜结构包括[反铁磁层/铁磁层]a、[反铁磁层/铁磁层/重金属层]b、以及[反铁磁层/铁磁层/重金属层/铁磁层]c中的一种或多种，铁磁层由铁磁导电材料形成，重金属层由重金属材料形成，[反铁磁层/铁磁层]a结构中的反铁磁层由包括重金属元素的反铁磁材料形成，其余结构中的反铁磁层由反铁磁材料形成，铁磁层具有面内磁矩并且被所述反铁磁层偏置在第一方向上，所述磁性多层膜结构响应于其膜层法线方向上的温度梯度，在第二方向上输出电压信号，所述第二方向基本垂直于所述第一方向。
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公开(公告)号：CN116299091A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310261106.6
申请日：2023-03-17
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明提供了一种自旋过滤隧道结，其制备方法、应用及传感器。由于A型反铁磁体本身的各向异性导致不同磁电阻随着磁场变化行为，也为基于此的隧穿磁电阻传感器提供了额外的功能。本发明旨在利用自旋过滤隧道结代替经典的隧道结，在极大地简化隧穿磁电阻(TMR)传感器的制备工艺的同时，也利用A型反铁磁体的各向异性为隧穿磁电阻传感器设计增加自由度，从而实现工艺更简便、功能更多的隧穿磁电阻传感器。
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公开(公告)号：CN115224187A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110422281.X
申请日：2021-04-20
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及磁子转移力矩调控的磁子晶体管和磁子存储器等磁子器件。根据一实施例，一种基于磁子转移力矩的磁子器件可包括：第一自旋霍尔效应层；形成在所述第一自旋霍尔效应层上的第一铁磁绝缘层；形成在所述第一铁磁绝缘层上的反铁磁绝缘层；形成在所述反铁磁绝缘层上的第二铁磁绝缘层；以及形成在所述第二铁磁绝缘层上的第二自旋霍尔效应层。
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公开(公告)号：CN111384233A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010108087.X
申请日：2017-12-25
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
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公开(公告)号：CN109755383A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910125883.1
申请日：2019-02-20
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻器件和自旋霍尔磁电阻器件。根据一实施例，一种磁子磁电阻器件可包括：第一磁子传导层；设置在所述第一磁子传导层上的第二磁子传导层；以及设置在所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层之间的中间层，其中，所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层由磁性绝缘材料形成，所述中间层由非磁金属或反铁磁绝缘体或反铁磁金属材料形成。
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公开(公告)号：CN106252503B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201510329435.5
申请日：2015-06-15
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L43/10
摘要： 本发明涉及基于反铁磁材料的超高频自旋微波振荡器。一种自旋微波振荡器可包括磁性多层膜结构，所述磁性多层膜结构在直流偏置下产生微波振荡信号，所述磁性多层膜结构包括：设置在衬底上的第一电极层，所述第一电极层由导电金属制成；设置在所述第一电极层上的第一反铁磁进动层，所述第一反铁磁进动层由反铁磁材料制成；以及设置在所述第一反铁磁进动层上的第二电极层，所述第二电极层由导电金属制成。所述基于反铁磁材料的自旋微波振荡器能产生频率高达100GHz以上，甚至达到THz级别的振荡信号，因此能应用于各种超高频电子设备中。
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