Invention Publication
- Patent Title: 一种内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器
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Application No.: CN202410034665.8Application Date: 2024-01-09
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Publication No.: CN117832305APublication Date: 2024-04-05
- Inventor: 韩超 , 武岩松 , 钱驰文 , 郭永征 , 张玉明
- Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
- Applicant Address: 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼;
- Assignee: 西安电子科技大学芜湖研究院,西安电子科技大学
- Current Assignee: 西安电子科技大学芜湖研究院,西安电子科技大学
- Current Assignee Address: 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼;
- Agency: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- Agent 王丹
- Main IPC: H01L31/0352
- IPC: H01L31/0352 ; H01L31/0312 ; H01L31/102

Abstract:
本发明涉及内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器包括:衬底层、第一掺杂类型外延层、多个梯形浮动结、第二掺杂类型外延层、第一欧姆接触电极、第二欧姆接触电极;将第一欧姆接触电极、第二掺杂类型外延层、第一掺杂类型外延层、衬底层和第二欧姆接触电极自上而下排列,多个梯形浮动结为通过离子注入进行掺杂的方式形成于第一掺杂类型外延层内部的梯形结构,且多个梯形浮动结的掺杂类型与第一掺杂类型外延层的掺杂类型不同;多个梯形浮动结两两之间的间距为2μm~10μm,并且多个梯形浮动结各自的上底边与相邻斜边的夹角范围为22°~90°。上述结构的碳化硅辐照探测器利用多个梯形浮动结使得其内部电场均匀化,并降低浮动结全耗尽所需工作电压,提升整体载流子收集效率,提高电荷收集效率以及探测效率。
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