Invention Publication
- Patent Title: 一种以MAPbI3单晶为核心的X射线探测仪的制备方法
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Application No.: CN202311801579.7Application Date: 2023-12-25
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Publication No.: CN117858586APublication Date: 2024-04-09
- Inventor: 苏雪琼 , 王瑞旻 , 俞慧敏 , 王进 , 陈瑞祥 , 王丽
- Applicant: 北京工业大学
- Applicant Address: 北京市朝阳区平乐园100号
- Assignee: 北京工业大学
- Current Assignee: 北京工业大学
- Current Assignee Address: 北京市朝阳区平乐园100号
- Agency: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- Agent 张立改
- Main IPC: H10K71/00
- IPC: H10K71/00 ; H10K30/88 ; H10K30/60 ; H10K85/50 ; C30B29/12
Abstract:
一种以MAPbI3单晶为核心的X射线探测仪的制备方法，属于光电器件领域。利用离子液体1‑乙基‑3‑甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐(EMIMNTF2)对MAPbI3单晶进行通电浸泡，将其与刚性硅基叉指电极结合，并用导电银胶在电极处黏合铜线链接电路板，由此制得以MAPbI3单晶作为核心的X射线探测器。相较于现有的以MAPbI3单晶作为核心的X射线探测器，该器件在光电性能上出现显著提升，能够更为便捷的对X射线进行探测。
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