一种多功能空气净化装置及方法

    公开(公告)号:CN107213755B

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201710445310.8

    申请日:2017-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种多功能空气净化装置及方法,该装置包括:空气检测控制模块、净化器以及通道;通道包括室内空气循环通道、室内室外空气置换通道和烟雾净化通道;净化器与通道连接,用于净化室内的空气、从室外进入室内的空气以及从室内排到室外的烟雾气体;空气检测控制模块,用于根据检测到的室内二氧化碳气体浓度和烟雾浓度,控制通道开启与关闭;当室内空气循环通道开启时,净化器对室内的空气进行净化,当室内室外空气置换通道开启时,净化器对室外进入室内的空气进行净化,当烟雾净化通道开启时,净化器对室内排到室外的烟雾气体进行净化。采用本发明提供装置或者方法,既能净化空气,又能净化火灾产生的烟雾,减少了大气污染。

    一种封装集成一体的温度梯度增敏保偏光纤传感器

    公开(公告)号:CN114563841A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210190316.6

    申请日:2022-02-28

    Abstract: 一种封装集成一体的温度梯度增敏保偏光纤传感器,属于基于镀膜保偏光纤的多参量光纤传感器领域。在去掉涂覆层的保偏光纤包层表面通过脉冲激光沉积的方法镀近红外高透过率的ZnSe9:Co1纳米薄膜,使得传输光能量更集中在光纤表面。在ZnSe9:Co1纳米薄膜表面利用热蒸镀的方法镀银纳米薄膜,提高光纤的热膨胀系数。用PDMS填充毛细管封装镀膜保偏光纤,增加传感器整体热膨胀系数,最终实现温度梯度增敏的测量。

    一种改变半导体材料PN型的方法

    公开(公告)号:CN114645251B

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202210260057.X

    申请日:2022-03-16

    Abstract: 一种改变半导体材料PN型的制备方法,涉及半导体材料领域。将硒化锌掺杂半导体沉积到基底表面形成半导体薄膜,通过控制制备条件,达到控制基片上半导体薄膜PN型的目的。制备过程中选择使用脉冲激光沉积技术完成薄膜的制备,基片选择使用石英玻璃。本发明的半导体材料通过脉冲激光沉积法来制备的,采用如下技术方案实现:先采用固体反应烧结法制备ZnSe0.4:Mo0.3:Ga0.3陶瓷靶材,再采用脉冲激光沉积法制备ZnSe:Mo:Ga薄膜,通过控制不同的制备条件,得到不同PN特性的半导体薄膜。本发明结晶质量好、表面光滑,具有纳米结构,能够实现同一块靶材通过控制制备条件改变其薄膜的PN型的目的。

    一种封装集成一体的温度梯度增敏保偏光纤传感器

    公开(公告)号:CN114563841B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202210190316.6

    申请日:2022-02-28

    Abstract: 一种封装集成一体的温度梯度增敏保偏光纤传感器,属于基于镀膜保偏光纤的多参量光纤传感器领域。在去掉涂覆层的保偏光纤包层表面通过脉冲激光沉积的方法镀近红外高透过率的ZnSe9:Co1纳米薄膜,使得传输光能量更集中在光纤表面。在ZnSe9:Co1纳米薄膜表面利用热蒸镀的方法镀银纳米薄膜,提高光纤的热膨胀系数。用PDMS填充毛细管封装镀膜保偏光纤,增加传感器整体热膨胀系数,最终实现温度梯度增敏的测量。

    一种改变半导体材料PN型的制备方法

    公开(公告)号:CN114645251A

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202210260057.X

    申请日:2022-03-16

    Abstract: 一种改变半导体材料PN型的制备方法,涉及半导体材料领域。将硒化锌掺杂半导体沉积到基底表面形成半导体薄膜,通过控制制备条件,达到控制基片上半导体薄膜PN型的目的。制备过程中选择使用脉冲激光沉积技术完成薄膜的制备,基片选择使用石英玻璃。本发明的半导体材料通过脉冲激光沉积法来制备的,采用如下技术方案实现:先采用固体反应烧结法制备ZnSe0.4:Mo0.3:Ga0.3陶瓷靶材,再采用脉冲激光沉积法制备ZnSe:Mo:Ga薄膜,通过控制不同的制备条件,得到不同PN特性的半导体薄膜。本发明结晶质量好、表面光滑,具有纳米结构,能够实现同一块靶材通过控制制备条件改变其薄膜的PN型的目的。

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