发明公开
- 专利标题: 一种低氧含量氮化硅粉末及其铝热还原方法和应用
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申请号: CN202410089814.0申请日: 2024-01-23
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公开(公告)号: CN117865691A公开(公告)日: 2024-04-12
- 发明人: 杨平 , 耿仁聪 , 贾文磊 , 朱武勋 , 李明伟 , 杞文涵 , 周菊 , 曾一明 , 韩娇 , 李仕祺
- 申请人: 云南贵金属实验室有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市高新区科技路988号
- 专利权人: 云南贵金属实验室有限公司
- 当前专利权人: 云南贵金属实验室有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市高新区科技路988号
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 李静
- 主分类号: C04B35/584
- IPC分类号: C04B35/584 ; C04B35/626
摘要:
本发明提供了一种低氧含量氮化硅粉末及其铝热还原方法和应用,属于氮化硅陶瓷技术领域。本发明提供的低氧含量氮化硅粉末的铝热还原方法,包括以下步骤:将氮化硅粉末和铝粉进行球磨混合,得到混合粉末;将混合粉末进行铝热还原,然后和酸性溶液混合,得到低氧含量氮化硅粉末,铝热还原的温度为600~800℃,铝热还原的保温时间为3~5h。本发明在氮化硅粉末中添加铝作为还原剂,利用铝热还原方法去除二氧化硅,降低氮化硅粉末中的氧含量,所需的反应温度低,反应条件更加温和。实施例的结果显示,本发明得到的氮化硅粉末中氧含量≤0.93wt.%,制备成氮化硅陶瓷后热导率>75W/m·K。
IPC分类: