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公开(公告)号：CN118492390A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410642305.6
申请日：2024-05-22
申请人： 云南贵金属实验室有限公司
摘要： 本发明涉及贵金属粉体技术领域，提供了一种低有机残留率粒径窄分布的光滑球形金粉的制备方法。本发明采用水‑正丙醇混合溶剂体系制备金粉，可适当提高溶液粘度，降低离子扩散速率，减缓反应速率，促进形成的金晶核均匀生长，得到粒径分布相对均匀的金粉；同时，本发明将还原反应得到的含金沉淀物分散于具有强氧化性的处理液中，通过超声处理将残留于金粉颗粒表面的有机物去除。本发明制备的金粉有机物残留率低、表面光滑无附着物、粒径均一可控、分散性高，球形度高，可用于制备金导体浆料，且制备工艺简单、批次重复稳定性高，可进行大批量生产。
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公开(公告)号：CN116854463B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310876655.4
申请日：2023-07-17
申请人： 云南贵金属实验室有限公司
IPC分类号： C04B35/47 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88
摘要： 本发明涉及电子功能材料技术领域，提供了一种Lu掺杂钛酸锶基巨介电陶瓷材料及其制备方法。本发明通过使用Lu3+掺杂SrTiO3，在陶瓷内部形成一定数量稳定的缺陷簇，增大极化率，从而使Sr1‑1.5xLuxTiO3(0＜x≤0.02)具有巨介电效应；本发明采用固相合成法制备Lu掺杂SrTiO3基巨介电陶瓷材料，在普通空气气氛下烧结即可，且稀土Lu的掺杂量较少，生产成本低；本发明的制备方法简单，重复性好，成品率高，成本较低，便于商业化生产。实施例结果表明，当x＝0.01时，在室温、1kHz的测试频率下，所得陶瓷材料的介电常数为101067，在室温、1MHz的测试频率下介电常数为32584。
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公开(公告)号：CN116751056A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310706386.7
申请日：2023-06-14
申请人： 云南贵金属实验室有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料技术领域，提供了一种TiO2掺杂CaNb2O6陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供的TiO2掺杂CaNb2O6陶瓷材料的化学式为CaNb2‑xTixO6(0
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公开(公告)号：CN117865691A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410089814.0
申请日：2024-01-23
申请人： 云南贵金属实验室有限公司
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/626
摘要： 本发明提供了一种低氧含量氮化硅粉末及其铝热还原方法和应用，属于氮化硅陶瓷技术领域。本发明提供的低氧含量氮化硅粉末的铝热还原方法，包括以下步骤：将氮化硅粉末和铝粉进行球磨混合，得到混合粉末；将混合粉末进行铝热还原，然后和酸性溶液混合，得到低氧含量氮化硅粉末，铝热还原的温度为600～800℃，铝热还原的保温时间为3～5h。本发明在氮化硅粉末中添加铝作为还原剂，利用铝热还原方法去除二氧化硅，降低氮化硅粉末中的氧含量，所需的反应温度低，反应条件更加温和。实施例的结果显示，本发明得到的氮化硅粉末中氧含量≤0.93wt.％，制备成氮化硅陶瓷后热导率＞75W/m·K。
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公开(公告)号：CN118530019A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410658220.7
申请日：2024-05-24
申请人： 云南贵金属实验室有限公司
IPC分类号： C04B35/47 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01G4/12
摘要： 本发明涉及电子功能材料技术领域，提供了一种在A、B位双施主共掺杂钛酸锶基巨介电陶瓷材料及其制备方法。本发明采用Sm在Sr(A)位点，Nb在Ti(B)位点进行双施主共掺杂，同时结合氮气烧结的方式，得到化学式为Sr1‑1.5xSmxTi0.097Nb0.003O3(0＜x≤0.018)的SrTiO3基巨介电陶瓷材料，该陶瓷具有巨介电效应，介电常数的温度稳定性良好，满足电子元器件小型化对电介质材料的需求；并且，本发明中掺杂剂Nb2O5和Sm2O3的用量较少，能降低生产成本；同时，本发明提供的制备方法步骤简单，重复性好，成品率高，成本较低，便于商业化生产。
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公开(公告)号：CN116751056B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202310706386.7
申请日：2023-06-14
申请人： 云南贵金属实验室有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料技术领域，提供了一种TiO2掺杂CaNb2O6陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供的TiO2掺杂CaNb2O6陶瓷材料的化学式为CaNb2‑xTixO6(0
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公开(公告)号：CN116854463A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310876655.4
申请日：2023-07-17
申请人： 云南贵金属实验室有限公司
IPC分类号： C04B35/47 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88
摘要： 本发明涉及电子功能材料技术领域，提供了一种Lu掺杂钛酸锶基巨介电陶瓷材料及其制备方法。本发明通过使用Lu3+掺杂SrTiO3，在陶瓷内部形成一定数量稳定的缺陷簇，增大极化率，从而使Sr1‑1.5xLuxTiO3(0＜x≤0.02)具有巨介电效应；本发明采用固相合成法制备Lu掺杂SrTiO3基巨介电陶瓷材料，在普通空气气氛下烧结即可，且稀土Lu的掺杂量较少，生产成本低；本发明的制备方法简单，重复性好，成品率高，成本较低，便于商业化生产。实施例结果表明，当x＝0.01时，在室温、1kHz的测试频率下，所得陶瓷材料的介电常数为101067，在室温、1MHz的测试频率下介电常数为32584。
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公开(公告)号：CN118529938A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410653991.7
申请日：2024-05-24
申请人： 云南贵金属实验室有限公司
摘要： 本发明涉及电子信息功能材料技术领域，提供了一种CBS+ZBS系LTCC复合材料及其制备方法。本发明采用CBS玻璃粉和ZBS玻璃粉复合制备LTCC材料，CBS玻璃粉和ZBS玻璃粉成分不同、软化温度不同、烧结温度不同、烧结后析出的晶相不同，通过调整两种玻璃粉的配比可以调控复合玻璃的软化温度与高温黏度，从而调节复合玻璃的烧结特性；不同配比的玻璃可使复合玻璃中析出晶相的含量发生变化进而调控材料的介电性能。综上所述，本发明的CBS+ZBS系LTCC复合材料能够实现低温烧结，并且烧结温度和介电性能可调，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117401970A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311342350.1
申请日：2023-10-17
申请人： 云南贵金属实验室有限公司
IPC分类号： C04B35/47 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及电子功能材料技术领域，提供了一种Ta、Al共掺杂SrTiO3基巨介电陶瓷材料及其制备方法。本发明利用Ta、Al对SrTiO3进行共掺杂，所得Ta、Al共掺杂SrTiO3基巨介电陶瓷材料的介电常数在105量级，且介电常数的频率、温度稳定性良好，能够满足电子元器件小型化和储能器件对电介质材料的需求。并且，本发明在制备Ta、Al共掺杂SrTiO3基巨介电陶瓷材料时，无需采用氢气气氛，仅在氮气条件下烧结即可，安全性好，成本低，容易进行大规模生产。
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公开(公告)号：CN118851777A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410910460.1
申请日：2024-07-09
申请人： 云南贵金属实验室有限公司
IPC分类号： C04B35/587 , C04B35/591 , C04B35/626
摘要： 本发明涉及氮化硅陶瓷技术领域，提供了一种低温熔盐铝热还原制备低氧含量氮化硅粉末的方法。本发明将氮化硅粉末、铝粉和氯化铝粉末混合，得到混合粉末；将所述混合粉末进行低温熔盐铝热还原，得到还原粉末；所述低温熔盐铝热还原的温度为180～250℃；将所述还原粉末洗涤后干燥，得到所述低氧含量氮化硅粉末。本发明使用低温熔盐法，使得铝粉、氮化硅粉和氯化铝粉发生还原反应，原位生成单质硅和氯化氧铝；与传统的碳热还原或硅热还原相比，本发明的还原条件更加温和，能耗更低。采用本发明制备的低氧含量氮化硅粉末制备氮化硅陶瓷，有利于进一步降低氮化硅陶瓷中的氧含量，从而提高氮化硅陶瓷的热导率。
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