本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种IGBT半导体器件及其工艺方法。该IGBT半导体器件包括基板和安装在基板上的DBC板，基板的上表面固定连接有外壳，外壳的上表面设置有功率端子和信号端子，功率端子和信号端子均与DBC板电性连接。本发明通过结构设计解决了现有的IGBT半导体器件的基板与散热器表面接触吸收热量，再通过各种方法将热量传递到远处，由于IGBT半导体器件的产热位置正好是整个器件的与基板接触的中心位置，热量无法最快得到逸散，大大影响了散热效率的问题。