本申请提供一种沟槽MOSFET器件及沟槽MOSFET器件阵列，通过分别形成掩埋区和第三掺杂区，可以精确控制掩埋区和第三掺杂区的宽度，进而，对于相邻的沟槽MOSFET器件，可以精确控制掩埋区之间的距离，以及第三掺杂区之间的距离，由于相邻掩埋区之间以及相邻第三掺杂区之间会形成JFET区，通过设置相邻的第三掺杂区之间的距离大于相邻的掩埋区之间的距离，进而使得相邻的第三掺杂区之间形成电阻更小的JFET区，降低了器件的导通电阻，且增加了电流扩展空间，增大器件导通电流，可以提升沟槽MOSFET器件的导通特性，同时掩埋区可以很好的保护栅极槽角，提升沟槽MOSFET的整体器件性能。