发明公开
CN117878854A ESD保护电路及芯片
审中-实审
- 专利标题: ESD保护电路及芯片
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申请号: CN202311617293.3申请日: 2023-11-29
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公开(公告)号: CN117878854A公开(公告)日: 2024-04-12
- 发明人: 李东镁 , 赵东艳 , 邵亚利 , 沈美根 , 解尧明 , 陈燕宁 , 刘芳
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 谢熠
- 主分类号: H02H9/04
- IPC分类号: H02H9/04
摘要:
本发明涉及集成电路及芯片领域,提供一种ESD保护电路及芯片。ESD保护电路包括控制信号输入单元、RC延时单元以及泄放单元,泄放单元包括至少两种ESD泄放路径,控制信号输入单元用于根据输入的芯片通电状态信号控制泄放单元开启对应的ESD泄放路径进行ESD泄放,RC延时单元用于产生使泄放单元开启ESD泄放的RC时间常数。本发明针对断电和上电后两种状态设计不同的ESD保护,可以根据不同的应用场景切换不同ESD泄放方式,消除ESD上电过程中因毛刺导致的误触发事件的发生,解决上电过程中因Active Clamp钳位电压抬高导致的NMOS泄放管源漏跨压过大、功耗过大的问题。