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    IGBT驱动电路及芯片
    1.
    发明授权
    IGBT驱动电路及芯片 有权

    公开(公告)号：CN117498854B

    公开(公告)日：2024-06-21

    申请号：CN202311220391.3

    申请日：2023-09-20

    申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

    发明人： 刘芳 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  解尧明 ,  梁英宗 ,  池泊明 ,  李东镁

    IPC分类号： H03K17/567 ,  H03K17/04 ,  H03K17/081

    摘要： 本发明涉及集成电路领域，提供一种IGBT驱动电路及芯片。所述IGBT驱动电路包括死区产生模块、电平位移模块、延时电路模块、第一驱动管以及第二驱动管。死区产生模块用于基于输入信号生成非交叠的第一控制信号和第二控制信号；电平位移模块用于对第一控制信号进行电平位移处理生成高压域控制信号；延时电路模块用于对第二控制信号进行延时处理生成与所述高压域控制信号的延时相匹配的低压域控制信号；第一驱动管与第二驱动管在高压域控制信号以及低压域控制信号的作用下生成轨到轨输出的驱动信号。本发明可实现不同电压域的匹配，提高响应速度，且可实现良好的延时匹配特性，避免第一驱动管与第二驱动管直通，节省功耗。

    高速低功耗OTP电阻放大器及芯片
    2.
    发明公开
    高速低功耗OTP电阻放大器及芯片 审中-实审

    公开(公告)号：CN117877543A

    公开(公告)日：2024-04-12

    申请号：CN202311668595.3

    申请日：2023-12-06

    申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

    发明人： 邵亚利 ,  解尧明 ,  刘芳 ,  李东镁 ,  沈美根 ,  朱松超

    IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18

    摘要： 本申请实施例提供一种高速低功耗OTP电阻放大器及芯片，涉及存储器技术领域，OTP电阻放大器包括：采样触发模块、延时模块、复位模块、电源、OTP存储模块、采样放大模块及采样读取模块；采样触发模块、延时模块及采样放大模块依次连接，OTP存储模块与电源连接构成回路，采样触发模块的输出端还与OTP存储模块连接，采样放大模块的输入端与存储模块连接；采样放大模块的输出端与复位模块的输入端及采样读取模块的输入端分别连接，复位模块的输出端与采样触发模块连接。本申请能够根据采样输出，精确控制读取时间，使读取时间最小化，能够当输出稳定后及时关闭读取电路，从而有效降低平均功耗。

    IGBT退饱和保护方法及IGBT退饱和保护电路
    3.
    发明公开
    IGBT退饱和保护方法及IGBT退饱和保护电路 审中-实审

    公开(公告)号：CN117200784A

    公开(公告)日：2023-12-08

    申请号：CN202311091260.X

    申请日：2023-08-25

    申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

    发明人： 刘芳 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  解尧明 ,  李东镁 ,  梁英宗 ,  池泊明

    IPC分类号： H03K19/08 ,  H03K19/094 ,  H03K19/173 ,  H03K19/003

    摘要： 本申请涉及晶体管安全检测技术领域，具体涉及一种IGBT退饱和保护方法及IGBT退饱和保护电路。所述电路包括：栅极驱动模块，用于输出栅极驱动信号，所述栅极驱动信号包括高电平信号和低电平信号；检测电路，用于检测目标IGBT的工作状态，所述目标IGBT的工作状态包括退饱和状态和饱和状态；数字逻辑控制模块，用于控制栅极驱动模块输出高电平信号或低电平信号；用于计时消隐时间和退饱和滤波时间；用于利用检测电路获取目标IGBT的工作状态。采用本发明提供的能够更好的提高退饱和检测电路的响应速度和可靠性。且不需要外接消隐电容，简化了外围的电路，降低了外围元器件的消耗。

    纵向栅LDMOSFET器件及制造方法、功率芯片
    6.
    发明授权
    纵向栅LDMOSFET器件及制造方法、功率芯片 有权

    公开(公告)号：CN116525659B

    公开(公告)日：2023-09-12

    申请号：CN202310798837.4

    申请日：2023-07-03

    申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

    发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永锋 ,  鹿祥宾 ,  刘倩倩 ,  郁文 ,  邵亚利

    IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

    摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种纵向栅LDMOSFET器件及制造方法、功率芯片。纵向栅LDMOSFET器件包括半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，还包括：纵向设置于所述体区与所述漂移区之间的氧化层，以及纵向设置于体区的纵向栅结构；所述氧化层和所述纵向栅结构均与所述阱区相接，所述漂移区与所述纵向栅结构之间的体区与所述氧化层以及所述漂移区构成第一场板结构；所述纵向栅结构包括纵向栅以及栅氧化层，所述纵向栅以及位于纵向栅底部的栅氧化层与所述阱区构成第二场板结构。本发明通过纵向设置氧化层和纵向栅结构，形成双场板结构，提高器件的击穿电压，同时减少漂移区的横向面积，从而减少芯片所占面积，降低成本。

    LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件
    7.
    发明授权
    LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件 有权

    公开(公告)号：CN115939197B

    公开(公告)日：2023-05-05

    申请号：CN202310061014.3

    申请日：2023-01-19

    申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

    发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  刘春颖 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  鹿祥宾 ,  李君建

    IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

    摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。

    横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
    9.
    发明公开
    横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路 审中-实审

    公开(公告)号：CN115528117A

    公开(公告)日：2022-12-27

    申请号：CN202211436896.9

    申请日：2022-11-16

    申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

    发明人： 陈燕宁 ,  余山 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  郁文 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  张东

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

    摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底的上层硅为凸字型结构，包括第一凸台和第二凸台；第一凸台被划分为体区和漂移区；氧化场板形成于漂移区上；源区第一导电类型掺杂区形成于靠近体区的第二凸台上；源区第二导电类型掺杂区形成于源区第一导电类型掺杂区上；源极形成于源区第二导电类型掺杂区上；漏区第一导电类型掺杂区形成于靠近漂移区的第二凸台上；漏区第二导电类型掺杂区形成于漏区第一导电类型掺杂区上；漏极形成于漏区第二导电类型掺杂区上。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，提高击穿电压、器件的性能和可靠性。