本发明公开了一种调制接收用铌酸锂薄膜集成芯片及其工作方法，属于光学技术领域，芯片包括本体，本体从下到上依次设置的基底层、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜层以及二氧化硅上包层，包括沿光路依次布置在本体内的光分束器、光调制器以及光探测器，光分束器、光调制器以及光探测器通过铌酸锂脊波导结构进行光互联。采用上述结构的一种调制接收用铌酸锂薄膜集成芯片及其工作方法，实现了芯片一致性和整体结构的小型化，并保证了各器件的具有与分立器件相当的较高性能。