发明公开
- 专利标题： 一种水平沟槽型锗硅红外探测器及其制备方法
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申请号： CN202311735586.1申请日： 2023-12-15
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公开(公告)号： CN117894870A公开(公告)日： 2024-04-16
- 发明人: 李志华 , 成文政 , 刘曼文
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理商 张晓玲
- 主分类号： H01L31/105
- IPC分类号： H01L31/105 ; H01L31/107 ; H01L31/028 ; H01L31/18
摘要：
本发明涉及一种水平沟槽型锗硅红外探测器及其制备方法。本发明的水平沟槽型锗硅红外探测器采用锗材料作为硅衬底的外延吸收层，提高了对红外波段的吸收。此外，本发明探测器的光子或粒子入射方向与载流子收集方向不同，实现了光子或粒子入射方向与载流子收集方向的解耦，同时还实现了耗尽区宽度与入射深度的解耦。
IPC分类:
