本发明涉及用于制作半导体设备的技术领域，且公开了一种外延生产设备及方法，包括炉体，炉体内部的两侧分别开设有生长室与进料仓，进料仓的内部设置有生长盘，进料仓的内部设置有存放组件，存放组件包括有框板，框板的下方设置有外环，外环的上端开设有上槽口，上槽口的内部设置有阻隔组件，进料仓的内部设置有传动组件，通过将多个生长盘在放置环板上方叠放，将驱动电机启动带动传动板使圆辊在导引框的内部做圆周运动并带动移动板使凸桩与翘柱接触，凸桩带动翘柱与卡板在短槽口内部活动并挤推翘杆，同时移动板持续带动推板移动将生长盘挤推进入生成炉台的上方进行外延层的生成，达到快速将生长盘带动硅片进行上料的效果。