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公开(公告)号：CN118814261A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411297008.9
申请日：2024-09-18
申请人： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
发明人： 徐新华
摘要： 本发明公开了提高外延片平坦度的制备方法和装置，涉及外延片生产技术领域，提高外延片平坦度的制备装置，包括两端为敞口的反应壳体，还包括密封进气法兰，其密封连接于反应壳体一端；密封排气件，其密封连接于反应壳体另一端；进气管，其贯穿密封进气法兰，并一端延伸至反应壳体内；本发明通过喇叭形槽口、密封盖板等之间的相互配合，在初始充气阶段，通过抽气系统对活塞腔进行抽气，使大流量的保护气体从喇叭形槽口流出进入反应壳体内，大流量的保护气体流出，能够避免气体未混合均匀前，气相沉积反应的混合气体过早地沉淀在外延片上，导致外延片厚度不均匀的情况发生。
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公开(公告)号：CN118219088A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410214388.9
申请日：2024-02-27
申请人： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
发明人： 徐新华
IPC分类号： B24B7/22 , H01L21/306 , B24B27/00 , B24B1/00
摘要： 本发明涉及硅加工设备技术领域，具体公开了可调节衬底表面厚度均匀性的硅外延反应设备及工艺，包括设置在外延反应机体内用于调整衬底表面厚度的调节机构，调节机构包括电动推杆，固定设于外延反应设备的顶部，且电动推杆的伸缩轴延伸至外延反应机体内，电动推杆的伸缩轴固定设有十字安装板，本发明通过调节机构的驱动组件和限位组件等便于同步带动多个第一打磨块和第二打磨块转动，从而便于对多个衬底进行表面厚度调整，提高调整效率，且便于对不同尺寸的衬底进行表面厚度调整，提高适用性，通过辅助机构和连接组件配合，便于调整第一打磨块和第二打磨块的高度，从而适用于不同厚度的衬底使用。
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公开(公告)号：CN118147765A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410162951.2
申请日：2024-02-05
申请人： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
发明人： 徐新华
摘要： 本发明公开了一种硅单晶外延片的表面连续热处理系统及电阻率测量方法，涉及外延片热处理技术领域，工作台，工作台顶部固定连接有处理框，所述处理框内部转动连接有转动盘，所述转动盘顶部绕转动盘圆心环形固定连接有多个固定盘，多个固定盘外侧设置有用于形成密封空间的保温机构；通过启动多个第一液压伸缩杆，多个第一液压伸缩杆推动调节盘转动，当调节盘转动通过滑动槽的作用带动多个移动板相靠近，移动板推动第二密封板进行移动，多个通过第二密封板和第一密封板形成一个可以调节的环形，针对不同的大小的晶片进行调整，便于后期的加热和充气氮气，缩小需要加工空间，提高升温时间，提高热处理的效率。
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公开(公告)号：CN117904711A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311768491.X
申请日：2023-12-21
申请人： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
发明人： 徐新华
IPC分类号： C30B25/08 , C30B25/12 , C23C16/44 , C23C16/458
摘要： 本发明涉及用于制作半导体设备的技术领域，且公开了一种外延生产设备及方法，包括炉体，炉体内部的两侧分别开设有生长室与进料仓，进料仓的内部设置有生长盘，进料仓的内部设置有存放组件，存放组件包括有框板，框板的下方设置有外环，外环的上端开设有上槽口，上槽口的内部设置有阻隔组件，进料仓的内部设置有传动组件，通过将多个生长盘在放置环板上方叠放，将驱动电机启动带动传动板使圆辊在导引框的内部做圆周运动并带动移动板使凸桩与翘柱接触，凸桩带动翘柱与卡板在短槽口内部活动并挤推翘杆，同时移动板持续带动推板移动将生长盘挤推进入生成炉台的上方进行外延层的生成，达到快速将生长盘带动硅片进行上料的效果。
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公开(公告)号：CN117816685A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311753087.5
申请日：2023-12-20
申请人： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
发明人： 徐新华
摘要： 本发明涉及硅片清洗技术领域，且公开了一种高纯氮气环境下的硅片清洗烘干系统及操作工艺，包括烘干机、桌腿和传送装置，桌腿顶部固定连接有底板，底板一侧固定连接有左板,底板另一侧固定连接有右板,右板顶部固定连接有顶板,右板通过顶板与左板固定连接,左板一侧设置有上料装置，上料装置共计两个，通过对上料装置中的试剂槽内放入清洗试剂，清洗试剂从入水柱中流向第三管道，由第三管道流向第二管道，从第二管道中流向第一管道，最后到达衔接块内部，通过第五转动轴上方的小孔流入到喷头处进行喷洒，当圆盘移动至第二喷洒装置处，将对硅片进行二次清洗，清洗完成后移动到烘干机中进行烘干，从而达到多重清洗和避免药剂污染的效果。
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公开(公告)号：CN117699485A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311723860.3
申请日：2023-12-14
申请人： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
发明人： 徐新华
摘要： 本发明涉及硅片上下料技术领域，且公开了一种支持多规格硅片的分选上下料系统及方法，包括底座、四面存片装置、升降导片装置、检测设备和可调传动装置，通过设置四面存片装置，节省了空间，节约了上料时机械臂的等待时间，提高了硅片的上料效率；通过设置连接板，提高了上料的效率；通过设置第一螺纹杆和第一滑槽,便于对不同规格的硅片进行上料；通过设置升降导片装置，有利于对载片台的硅片进行下料，快速将载片台上的硅片传入第三传动带上；通过设置第二螺纹杆和升降杆，便于对硅片进行下料；通过设置第二滑槽和第二滑块，便于保持第二传动带处于紧绷状态，有利于传输硅片；通过设置可调传动装置，便于对不同规格的硅片进行下料和分选。
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公开(公告)号：CN118218266A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410491030.0
申请日：2024-04-23
申请人： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
发明人： 徐新华
摘要： 本发明公开了一种超薄硅片表面的周缘缺陷检测分选仪及分类方法，涉及硅片检测技术领域，包括：设备平台，所述设备平台顶部固定连接有支撑框架，所述设备平台顶部固定连接有固定框，所述固定框顶部设置有转动架，转动架贯穿固定框并与固定框转动连接，所述转动架外侧固定连接有两个固定板且对称设置；通过翻转板两端的接触轮随着转动推动接触板，当接触板上升时通过推动板带动升降板进行上升，从而升降板带动检测探头上升，可以使检测探头可以随着固定框架的转动对硅片的距离也可以自动调整，达到对硅片翻转时依然可以处于最佳的检测位置。
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公开(公告)号：CN117518739A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311621736.6
申请日：2023-11-30
申请人： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
发明人： 徐新华
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/677
摘要： 本发明属于硅片传输领域，涉及数据分析技术，用于解决现有技术中的硅片传输系统无法根据硅片传输效率的监测数据对硅片吸附单元的运行状态进行反馈的问题，具体是一种硅片吸附单元、带此单元的传输系统及操作方法，包括传输控制平台，传输控制平台通信连接有硅片吸附单元、质量监测单元、传效分析单元、异常分析单元以及存储单元；质量监测单元用于对吸附部吸附的硅片进行质量监测分析并通过质量监测结果将硅片放至合格区域或回收区域；本发明可以对吸附部吸附的硅片进行质量监测分析，结合图像拍摄与机器视觉技术对硅片的质量特征进行提取，然后将提取的质量特征与合格特征进行比对并通过比对结果对硅片质量进行监控。
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公开(公告)号：CN117400286A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311479928.8
申请日：2023-11-08
申请人： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种8寸面检机机器人的柔性锁紧夹爪结构及操作方法，本发明涉及柔性锁紧夹爪结构技术领域。该8寸面检机机器人的柔性锁紧夹爪结构及操作方法通过设置调节结构以及吹气机构在使用时，能够将两个柔性夹爪相互靠近后，自动对柔性夹爪的夹取部位上进行吹气清理工作，故而在每次使用结束后，保证柔性夹爪的干净整洁，避免对夹取工作造成影响，而由于无需人工进行定期清洁，极大的节省了人力，且能够保证清洁的及时性。
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公开(公告)号：CN117373971A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311391241.9
申请日：2023-10-25
申请人： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687
摘要： 本发明涉及一种移栽机装置机构的改装方法，所属硅片加工设备技术领域，包括如下操作步骤：第一步：确认移栽夹取组件的宽度为385mm，两侧导向柱的开度间距达到415mm。第二步：移栽夹取组件夹取硅片盒运行至托盘上方。第三步：由钢带放卷，使得移栽夹取组件沿两侧的侧导向柱向下位移。第四步：当取硅片盒降至托盘上后，移栽夹取组件松开，接着钢带收卷。第五步：基板上的推进器启动，通过托盘前后位移，使得硅片盒进入下一道工序。具有结构简单、运行稳定性好和使用效率高的特点。通过改装移栽机装置的开口后，使得天车能够抓取投放硅片盒，实现移栽机投放硅片盒自动化。
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