发明公开
- 专利标题: 一种集成硅透镜的气体传感器芯片及制备方法
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申请号: CN202410005940.3申请日: 2024-01-03
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公开(公告)号: CN117907261A公开(公告)日: 2024-04-19
- 发明人: 杨绍松 , 刘同庆
- 申请人: 无锡芯感智半导体有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区滴翠路100-17号
- 专利权人: 无锡芯感智半导体有限公司
- 当前专利权人: 无锡芯感智半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区滴翠路100-17号
- 代理机构: 北京中知法苑知识产权代理有限公司
- 代理商 李明; 赵吉阳
- 主分类号: G01N21/3504
- IPC分类号: G01N21/3504 ; H10N10/17 ; B81B7/02 ; B81C1/00
摘要:
本公开的实施例提供一种集成硅透镜的气体传感器芯片及制备方法,包括:所述芯片包括硅透镜阵列结构和芯片本体;所述硅透镜阵列结构包括硅基底和若干滤光片;所述硅基底具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面形成有透镜阵列;所述硅基底的第二表面设置有所述滤光片;所述透镜与所述滤光片的位置对应设置;所述硅基底的第一表面与所述芯片本体上表面集成连接;其中,所述透镜与所述芯片本体的中心热端的位置相对应,其用于汇聚外部红外光源的能量至芯片本体的中心热端;透镜阵列包括凹透镜阵列。本公开中,在芯片本体上集成滤光片,在滤光片载体的硅基底上形成透镜阵列,凹透镜汇聚外部红外光源的能量至芯片中心热端,提高芯片灵敏度。
IPC分类: