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公开(公告)号：CN117156941A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311433904.9
申请日：2023-11-01
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有六方密排微孔实心衬底结构流量芯片的制作方法。本发明包括提供N型双抛硅片；在N型双抛硅片的表面制备一层有序六方密排PS球阵列层；采用反应离子刻蚀对N型双抛硅片表面进行蚀刻，形成衬底空腔，同样，采用反应离子刻蚀对有序六方密排PS球阵列层进行蚀刻，使其PS球的形状从球形变成椭球体，从而得到PS椭球体阵列层；在衬底空腔中填充PS树脂球；在PS椭球体阵列层上覆盖一层六方密排SIO层；在六方密排SIO层上覆盖一层氮化硅支撑层；在氮化硅支撑层表面分别制作MEMS热式流量传感器芯片的上游热电堆测温元件、下游热电堆测温元件以及中心热源。该衬底使MEMS热式流量传感器具有优良的稳定性和高可靠性。
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公开(公告)号：CN116659599B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310909750.X
申请日：2023-07-24
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种基于SOI衬底的MEMS气体流量芯片制备方法。本发明包括提供硅衬底；沉积一层多晶硅层，形成P型多晶硅半导体层；对P型多晶硅半导体层通过光刻图形化，形成上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶和中心热源，并暴露出第二氧化硅支撑层；制作一层第一绝缘层进行电绝缘隔离；对第一绝缘层进行光刻并形成冷热端连接通孔；在第一绝缘层表面沉积一层导电层，形成上游热电堆下层热电偶导线结构、下游热电堆下层热电偶导线结构和中心热源导线结构；在硅衬底的两端制作微流道通道集成凹槽，得到MEMS气体流量芯片本体；将SOI衬底与MEMS气体流量芯片本体进行倒装集成。本发明微流量检测的灵敏度高、测量范围广以及抗干扰能力强。
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公开(公告)号：CN116659599A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310909750.X
申请日：2023-07-24
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种基于SOI衬底的MEMS气体流量芯片制备方法。本发明包括提供硅衬底；沉积一层多晶硅层，形成P型多晶硅半导体层；对P型多晶硅半导体层通过光刻图形化，形成上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶和中心热源，并暴露出第二氧化硅支撑层；制作一层第一绝缘层进行电绝缘隔离；对第一绝缘层进行光刻并形成冷热端连接通孔；在第一绝缘层表面沉积一层导电层，形成上游热电堆下层热电偶导线结构、下游热电堆下层热电偶导线结构和中心热源导线结构；在硅衬底的两端制作微流道通道集成凹槽，得到MEMS气体流量芯片本体；将SOI衬底与MEMS气体流量芯片本体进行倒装集成。本发明微流量检测的灵敏度高、测量范围广以及抗干扰能力强。
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公开(公告)号：CN114577288A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210203610.6
申请日：2022-03-02
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： G01F1/69
摘要： 本申请公开了一种热式流量传感器及气体流量检测方法，所述热式流量传感器包括：测流单元，形成在基底的表面，所述测流单元包括依次分立布置的上游热敏元件、加热电阻和下游热敏元件；补偿单元，形成在所述基底的表面，所述补偿单元包括位于所述测流单元上游的上游环境电阻及和位于所述测流单元下游的下游环境电阻；所述加热电阻用于通电加热所述上游热敏元件和所述下游热敏元件；所述加热电阻还用于通电发热，以通过流动气体加热所述上游环境电阻和所述下游环境电阻中的一个。本申请的热式流量传感器可以克服现有热式流量传感器无法对反向气流进行温度补偿的缺陷，同时，可以进行自检测判断，验证传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN118102842B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410508848.9
申请日：2024-04-26
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种自清洁流量芯片的制作工艺。本发明包括提供衬底；制作支撑结构层；制作铂薄膜层；形成铂热电阻丝层；沉积一层第一氧化硅层；制作上游测温元件热电堆下层热电偶、下游测温元件热电堆下层热电偶以及中心热源；制作上游测温元件热电堆上层热电偶和下游测温元件热电堆上层热电偶；制作连接导线；所述铂热电阻丝层分别形成于靠近上游测温元件热电堆下层热电偶、下游测温元件热电堆下层热电偶各自冷端下方。本发明能够实现对测温元件敏感区的自清洁处理，从而保证下次使用时的精度不受影响。
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公开(公告)号：CN117907261A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410005940.3
申请日：2024-01-03
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/3504 , H10N10/17 , B81B7/02 , B81C1/00
摘要： 本公开的实施例提供一种集成硅透镜的气体传感器芯片及制备方法，包括：所述芯片包括硅透镜阵列结构和芯片本体；所述硅透镜阵列结构包括硅基底和若干滤光片；所述硅基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面形成有透镜阵列；所述硅基底的第二表面设置有所述滤光片；所述透镜与所述滤光片的位置对应设置；所述硅基底的第一表面与所述芯片本体上表面集成连接；其中，所述透镜与所述芯片本体的中心热端的位置相对应，其用于汇聚外部红外光源的能量至芯片本体的中心热端；透镜阵列包括凹透镜阵列。本公开中，在芯片本体上集成滤光片，在滤光片载体的硅基底上形成透镜阵列，凹透镜汇聚外部红外光源的能量至芯片中心热端，提高芯片灵敏度。
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公开(公告)号：CN117320530A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311438338.0
申请日：2023-11-01
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有微针结构热源的流量芯片的制作方法。本发明包括提供一衬底；在所述衬底上制作多晶硅半导体层；以所述多晶硅半导体层为光刻图形化基础，在所述衬底上分别制作MEMS热式流量传感器芯片的上游热电堆测温元件、下游热电堆测温元件和中心热源；所述中心热源的制作方法包括：对所述多晶硅半导体层通过光刻图形化，形成中心热源层热电偶；在所述中心热源层热电偶表面制作一层单层有序PS球阵列层；将所述单层有序PS球阵列层表面通过磁增强反应离子刻蚀的方法蚀刻出一层微阵列微针微纳圆锥结构。本发明通过在热源上方刻蚀硅微针结构，避免了由于热源温度过度波动而引起的误差，从而提高了整体芯片的精度。
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公开(公告)号：CN115127630B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211068252.9
申请日：2022-09-02
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种双轴多向MEMS热式流量传感器的制备方法，其使用多孔结构的固态隔热技术，该结构可靠稳定，防止了芯片损坏，并且设置三组热电堆进行X轴向、Y轴向和45°轴向的排布，使得芯片适用于监测多轴向流入的气体流量，其包括以下步骤：步骤1、得到减薄后的硅片结构；步骤2、得到固态多孔隔热结构；步骤3、沉积氧化硅支撑层和氮化硅支撑层；步骤4、形成镂空圆形中心热源结构；步骤5、制作热电堆和芯片本体电极；步骤6、形成一层微阵列微针圆锥结构；步骤7、沉积碳化硅保护层；步骤8、将芯片本体封装于凹槽内。
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公开(公告)号：CN115077648B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210995877.3
申请日：2022-08-19
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种MEMS质量流量传感器及制备方法，其测温元件热电偶设计了一种“Z”形冷端工艺，温度测量时，冷热端温差更大，提升了测温灵敏度，提高了对细微温度变化的分辨率，进而增大了质量流量测量量程，其包括衬底，所述衬底上表面设置有一层支撑层，所述支撑层的上表面设置有中心加热元件、测温热电堆元件和温度补偿电阻，所述测温热电堆元件包括测温热电偶对，其特征在于：每个所述测温热电偶对的下层热电偶均为“Z”形结构，所述下层热电偶的下端贯穿支撑层与衬底相连接。
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公开(公告)号：CN118102842A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410508848.9
申请日：2024-04-26
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种自清洁流量芯片的制作工艺。本发明包括提供衬底；制作支撑结构层；制作铂薄膜层；形成铂热电阻丝层；沉积一层第一氧化硅层；制作上游测温元件热电堆下层热电偶、下游测温元件热电堆下层热电偶以及中心热源；制作上游测温元件热电堆上层热电偶和下游测温元件热电堆上层热电偶；制作连接导线；所述铂热电阻丝层分别形成于靠近上游测温元件热电堆下层热电偶、下游测温元件热电堆下层热电偶各自冷端下方。本发明能够实现对测温元件敏感区的自清洁处理，从而保证下次使用时的精度不受影响。
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