发明公开
- 专利标题： 一种高性能氮化硅粉末的制备方法
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申请号： CN202410132222.2申请日： 2024-01-31
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公开(公告)号： CN117923915A公开(公告)日： 2024-04-26
- 发明人: 杨大胜 , 施纯锡 , 冯家伟
- 申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
- 申请人地址： 福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号
- 专利权人： 福建华清电子材料科技有限公司
- 当前专利权人： 福建华清电子材料科技有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号
- 代理机构： 泉州市诚得知识产权代理事务所
- 代理商 林小彬
- 主分类号： C04B35/584
- IPC分类号： C04B35/584 ; C04B35/626
摘要：
本发明涉及氮化硅粉末的制备技术领域，提供一种高性能氮化硅粉末的制备方法，解决现有技术难以合成高α相含量且不含游离Si的氮化硅粉体的问题；制备过程包括:1)原料的选择；2)添加稀释剂；3)第一次氮化反应；4)第二次氮化反应；5)酸洗提纯。
IPC分类:
