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公开(公告)号：CN118561605B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411052697.7
申请日：2024-08-02
申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/632 , C08F120/06
摘要： 本发明涉及于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：S1：混合分散：将烧结浆料进行球磨分散，得到混合浆料；S2:流延成型、排片压平处理和排胶：S3:烧结:将排胶后的物料送入放电等离子烧结炉中加热升温至1550‑1650℃，保温30‑50min；S4:冷却：将烧结后的烧结体冷却至常温。本发明高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法，所得陶瓷基板具有良好的力学强度。
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公开(公告)号：CN118561605A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411052697.7
申请日：2024-08-02
申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/632 , C08F120/06
摘要： 本发明涉及于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：S1：混合分散：将烧结浆料进行球磨分散，得到混合浆料；S2:流延成型、排片压平处理和排胶：S3:烧结:将排胶后的物料送入放电等离子烧结炉中加热升温至1550‑1650℃，保温30‑50min；S4:冷却：将烧结后的烧结体冷却至常温。本发明高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法，所得陶瓷基板具有良好的力学强度。
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公开(公告)号：CN116589298B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310585452.X
申请日：2023-05-23
申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种改善翘曲的覆厚铜陶瓷基板制备方法，包括如下步骤，S1、将陶瓷片装载在陶瓷预弯支架上，陶瓷预弯支架对陶瓷片的外缘进行支撑；2、对装载有陶瓷片的陶瓷预弯支架进行加热，加热完成后冷却至室温出炉，得到预弯陶瓷片；S3、将厚铜片置于氧化环境下加热；S4、准备DBC烧结支架，将预弯陶瓷片的凹面朝下放置在DBC烧结支架上，DBC烧结支架对预弯陶瓷排泥的中部进行支撑，再将预氧化后的厚铜片放置在预弯陶瓷上；S5、将S4组装完毕的结构放置在烧结炉内烧结，烧结完成后冷却至室温。本发明的一种改善翘曲的覆厚铜陶瓷基板制备方法在实现薄瓷厚铜结构的同时，能够消除产品翘曲或将翘曲控制在较小范围内。
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公开(公告)号：CN117923915A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410132222.2
申请日：2024-01-31
申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/626
摘要： 本发明涉及氮化硅粉末的制备技术领域，提供一种高性能氮化硅粉末的制备方法，解决现有技术难以合成高α相含量且不含游离Si的氮化硅粉体的问题；制备过程包括:1)原料的选择；2)添加稀释剂；3)第一次氮化反应；4)第二次氮化反应；5)酸洗提纯。
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公开(公告)号：CN116854480B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310758799.X
申请日：2023-06-26
申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/581 , F27B17/00 , F27D3/00 , F27D7/02 , C04B35/626
摘要： 本发明涉及一种碳热还原法制备氮化铝粉体的方法，包括如下步骤：制备原料球，将氧化铝与炭黑配比混合，装入球磨机中混合磨料，过筛后造粒得到原料球备用；将上述制备好的原料球投入加热炉，所述加热炉内转动安装有载料容器，加热炉上连通的氮气管道，所述原料球投放在载料容器内；将氮气通过氮气管道通入加热炉，启动加热炉对炉内物体进行加热，加热温度在1600℃‑1800℃，加热时间为3h；将反应后的产物收集至除碳装置，并向除碳装置内通入空气，除碳装置内温度600℃‑650℃；对除碳装置内反应后的产物进行收集，即得到成品氮化铝粉体。本发明的碳热还原法制备氮化铝粉体的方法能够促进原料充分反应，制得的成品纯度高。
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公开(公告)号：CN115894047B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211697877.1
申请日：2022-12-28
申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/10 , C04B35/622 , H01L21/48
摘要： 本发明涉及半导体封装领域，提供一种MOS封端用管壳的制备方法，解决采用现有技术的制备方法获得的MOS封装用管壳底板容易发生开裂的缺陷，包括以下制备步骤：(1)管壳模具的构建；(2)浆料的制备：所述浆料为氧化铝陶瓷浆料或氮化铝陶瓷浆料；(3)注浆：将步骤(2)制得的浆料注入步骤(1)构建好的管壳模具内；(4)烧结成型；(5)脱模。
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公开(公告)号：CN117425282A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311416135.1
申请日：2023-10-30
申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种DBC陶瓷基板烧结方法，涉及电子器件技术领域。包括以下步骤：步骤一：装备材料：准备陶瓷基板和铜箔，铜箔用于形成导电层，步骤二：清洗处理：将陶瓷基板和铜箔进行清洗处理，以去除表面的污垢和氧化物，步骤三：涂覆：将陶瓷基板的一侧涂覆上一层粘结剂，步骤四：堆叠：将铜箔放置在涂覆了粘结剂的陶瓷基板上，确保铜箔与基板表面接触良好。本发明通过对铜箔和陶瓷基板的堆叠，可以最大限度利用烧结炉的空间，减少材料的浪费，堆叠的陶瓷基板可以在烧结过程中相互支撑，减少基板变形的可能性，从而提高了基板的平整度，且可以减少烧结过程中的能源消耗和设备投资，从而降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN117387368A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311537969.8
申请日：2022-01-19
申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
IPC分类号： F27B17/00 , F27D7/06 , C01B21/072
摘要： 本发明涉及一种石墨炉的配气系统，该石墨炉包括进气风机、排气风机和两个反应装置，配气系统具有配气动力件和两个联动的配气装置，各配气装置均包括配气进气口和配气出气口，各配气装置均包括配气箱体、主动配气活塞和进排气控制组件，配气箱体具有压气腔，配气动力件推动相邻两个配气装置上的主动配气活塞沿压气腔滑动，进排气控制组件包括进排气控制杆，主动配气活塞沿压气腔滑动使压气腔容积最大时进排气控制杆打开配气进气口而密封配气出气口，主动配气活塞沿压气腔滑动使压气腔容积由最大逐渐变小的过程中，进排气控制杆密封配气进气口而打开配气出气口，保证各反应装置相同的供气量，保证相同的产品质量。
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公开(公告)号：CN115745622B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202211522921.5
申请日：2022-11-30
申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , C04B35/64 , G03G15/20
摘要： 本发明涉及打印机配件技术领域，提供一种打印机加热条用氮化铝陶瓷的制备方法，解决现有打印机加热条用陶瓷材料热导率低，影响定影组件散热速度的问题，包括以下步骤：(1)制备改性氮化铝粉体；(2)制备烧结助剂：以合成的三元碳化物和氧化镧的混合物作为烧结助剂；(3)制备陶瓷浆料；(4)流延成型；(5)等静压成型；(6)加热脱脂；(7)烧结。制备得到的氮化铝陶瓷综合性能优异，不仅热导率高，而且兼具优异的抗弯强度和断裂韧性。
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公开(公告)号：CN116544337A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310536545.3
申请日：2023-05-12
申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/00 , H01L21/68 , H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 本发明涉及元器件封装技术领域，特别是涉及一种金属化陶瓷封装基板及其高效制作方法，包括如下步骤：S10：通过金属化陶瓷基板工艺将金属化层结合在陶瓷基板的上下两侧，上、下两侧的金属化层互联或不互联；S20：通过图形加工工艺在金属化之后的所述陶瓷基板上加工出电路图形；S30：通过金属加工工艺将所需厚度的金属板加工成所需形状的台阶；S40：通过定位组件将台阶定位安装在金属化陶瓷基板上；S50：将所述台阶烧结或焊接在金属化陶瓷基板上。有益效果：缩短生产时间，降低了产品的生产成本；定位组件可以准确定位，提高成品率；通过选择适当的图形制作工艺实现线宽线距小于100um的图形，没有污染物的排放，绿色环保。
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