发明公开
- 专利标题: 未掺杂或离子掺杂全无机非铅双中心金属卤化物材料的制备与应用
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申请号: CN202211265100.8申请日: 2022-10-17
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公开(公告)号: CN117925226A公开(公告)日: 2024-04-26
- 发明人: 刘建勇 , 侯杰 , 韩沛耿 , 杨斌
- 申请人: 中国科学院大连化学物理研究所
- 申请人地址: 辽宁省大连市沙河口区中山路457号
- 专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市沙河口区中山路457号
- 代理机构: 沈阳科苑专利商标代理有限公司
- 代理商 马驰
- 主分类号: C09K11/61
- IPC分类号: C09K11/61 ; C09K11/62 ; C09K11/74 ; C09K11/75 ; C01G9/00 ; C01G9/04 ; C01G11/00 ; B82Y20/00 ; B82Y30/00 ; H01L31/032 ; H01L31/101 ; H01L31/115 ; H01L33/26
摘要:
本发明公开了未掺杂和离子掺杂全无机非铅双中心金属卤化物材料及其制备与应用。采用溶液法一步合成,搅拌混合,降温结晶,最终得到无色片状透明晶体,其结构组成为A5BB’X8:M,其中,A为碱金属离子,B为二价金属阳离子,B’为一价金属阳离子,X为卤素离子,A与B’不能相同,M为掺杂离子。本发明制备方法简单,获得的金属卤化物晶体材料环保无毒、稳定性好,且具有高效的可见光区宽谱发光性能,其在照明、显示、光电探测、太阳能电池、激光、传感器、光电催化等领域有着巨大的发展潜力。本发明解决了铅基钙钛矿的毒性问题,并通过掺杂提高了新型全无机非铅双中心金属卤化物的稳定性,同时改善其荧光性能,在各个领域具有良好的应用前景。