本发明涉及压力传感器的技术领域，尤其涉及一种单晶金刚石压敏芯片及其制备方法和高温压力传感器，压敏芯片包括衬底、压敏电阻、压敏薄膜、第一保护镀层和欧姆接触电极，衬底为单晶金刚石，衬底一侧开设有背腔，背腔的面积小于衬底的面积；衬底远离背腔的一侧设置有压敏电阻、压敏薄膜和第一保护镀层，第一保护镀层覆盖衬底远离背腔的一侧，所述第一保护镀层与背腔中心平行对应的区域蚀刻形成压敏薄膜，压敏薄膜周向设置有多个端部，每个端部嵌设有一组压敏电阻；欧姆接触电极位于第一保护镀层远离衬底的一侧，且串联若干组压敏电阻。本发明以单晶金刚石材料制备压敏芯片和高温压力传感器，可提高高温压力传感器的耐高温性能和检测灵敏度，该传感器相较于传统的高温压力传感器能承受更高的工作温度，封装结构均为耐高温陶瓷材料，具备在高温、高辐照环境下的工作能力。