- 专利标题: 一种多层陶瓷电容断裂测试装置及断裂分析方法
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申请号: CN202410105653.X申请日: 2024-01-25
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公开(公告)号: CN117929127B公开(公告)日: 2024-09-17
- 发明人: 周学 , 李东晖 , 李芳涛 , 翟国富
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 王恒
- 主分类号: G01N3/08
- IPC分类号: G01N3/08 ; G01N3/02 ; G01N27/00
摘要:
一种多层陶瓷电容断裂测试装置及断裂分析方法,涉及多层陶瓷电容设计技术领域。支架包括底板和并列固定在底板两侧的两个立柱,两个立柱顶端开设插槽并设置紧固件用于PCB板两相对端的插装和紧固,竖向伸缩滑台固定在底板中心位置,辊子安装在竖向伸缩滑台顶端,能够使PCB板底部中心弯曲变形,应变传感器安装在多层陶瓷电容底部与PCB板表面之间中心位置,实时测量PCB板的应变值表征多层陶瓷电容受到的应变载荷,LCR表连接多层陶瓷电容实时测量电容值的变化。适用于分析PCB板上多层陶瓷电容的断裂失效板弯应变与失效过程,基于Griffith模型和相场理论,建立考虑制造参数的多层陶瓷电容断裂计算模型。
公开/授权文献
- CN117929127A 一种多层陶瓷电容断裂测试装置及断裂分析方法 公开/授权日:2024-04-26