本发明涉及光伏组件测试领域，具体公开一种晶体硅光伏组件LeTID测试方法，包括对目标光伏组件进行第一性能测试，得到第一性能测试结果；对目标光伏组件在温度75℃±2℃，相对湿度＜20％RH的环境条件下，持续通短路电流168小时；进行第二性能测试，得到第二性能测试结果；对目标光伏组件在温度85℃±2℃，相对湿度＜20％RH的环境条件下，持续通短路电流500小时；进行第三性能测试，得到第三性能测试结果；根据第三性能测试结果和第一性能测试结果确定目标光伏组件的LeTID性能。本发明方法操作简便，试验成本低，能有效评估晶体硅光伏组件LeTID性能，为保证光伏行业的发展提供技术支持。