发明公开
- 专利标题: 薄膜晶体管单元及制备方法、移位寄存器单元
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申请号: CN202280002883.2申请日: 2022-08-29
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公开(公告)号: CN117957662A公开(公告)日: 2024-04-30
- 发明人: 刘艳 , 王小元 , 郭晖 , 许晨 , 杨国栋 , 万彬 , 陈俊明 , 吴忠山 , 蒲巡
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,重庆京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,重庆京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 代理机构: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 雷思鸣
- 国际申请: PCT/CN2022/115464 2022.08.29
- 国际公布: WO2024/044880 ZH 2024.03.07
- 进入国家日期: 2022-08-29
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; H01L27/12
摘要:
本申请公开了一种薄膜晶体管单元及制备方法、移位寄存器单元,涉及显示技术领域。该薄膜晶体管单元包括第一栅极、第一栅极绝缘层、第一半导体层,第一源漏极层和浮动电极。第一源漏极层包括间隔设置的第一源极和第一漏极。浮动电极位于第一源极和第一漏极之间。浮动电极能起到一定的散热作用,因此避免由于温度较高而导致第一半导体层被导体化。浮动电极可以对薄膜晶体管单元的第一源极和第一漏极产生分压效果,避免沟道中的电场强度过大而导致沟道中的电子堆积过多,进而避免薄膜晶体管单元发热甚至烧毁。由此提高薄膜晶体管单元的稳定性和可靠性,进而提高显示装置的显示效果。
IPC分类: