薄膜晶体管单元及制备方法、移位寄存器单元
摘要:
本申请公开了一种薄膜晶体管单元及制备方法、移位寄存器单元,涉及显示技术领域。该薄膜晶体管单元包括第一栅极、第一栅极绝缘层、第一半导体层,第一源漏极层和浮动电极。第一源漏极层包括间隔设置的第一源极和第一漏极。浮动电极位于第一源极和第一漏极之间。浮动电极能起到一定的散热作用,因此避免由于温度较高而导致第一半导体层被导体化。浮动电极可以对薄膜晶体管单元的第一源极和第一漏极产生分压效果,避免沟道中的电场强度过大而导致沟道中的电子堆积过多,进而避免薄膜晶体管单元发热甚至烧毁。由此提高薄膜晶体管单元的稳定性和可靠性,进而提高显示装置的显示效果。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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