本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种GaN单晶生长装置，包括开设有NH3进气口、N2进气口和HC l进气口的反应器，反应器内设置有第一通道、第二通道、第三通道、镓舟、生长盘、生长衬底和盖板；第三通道的入口连通NH3进气口，第二通道的入口连通N2进气口，第一通道的入口连通HC l进气口，第三通道、第二通道和第一通道的出口均呈扁平状；镓舟与第一通道连通；生长衬底位于第三通道、第二通道和第一通道的出口的前方，且生长衬底设置在生长盘上；盖板位于生长衬底的上方，且盖板的高度高于第三通道。本发明可在生长衬底上形成稳定的层流流场，从而可确保得到高质量的GaN单晶，有利于GaN单晶的产业化。