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公开(公告)号：CN118668282A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410715034.2
申请日：2024-06-04
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开一种GaN单晶生长装置及其方法，包括：籽晶；加热组件；反应釜，所述加热组件设置于反应釜外侧，反应釜用于容纳反应原料和籽晶；升降机构，升降机构包括固定部、升降部和悬挂部，固定部设置于反应釜的外部，悬挂部设置于反应釜的内部，升降部的一端连接于所述固定部，升降部的另一端穿过反应釜的上端连接于悬挂部，籽晶设置于悬挂部；旋转机构，反应釜固定于旋转机构上。本发明通过反应釜的旋转实现籽晶的提升与下降，实现当N离子浓度较高时，籽晶浸入熔体，当N离子浓度较低时，籽晶与熔体分离，可以间断性控制GaN单晶的生长，保证了籽晶一直处于N离子的高浓度环境中，提高了GaN单晶的生长质量。
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公开(公告)号：CN118223107A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410326262.0
申请日：2024-03-21
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开了一种晶体生长装置及方法，生长装置包括具有中空内腔的反应釜，反应釜包括生长段和解离段；其中，反应釜具有第一位姿、第二位姿和第三位姿，反应釜可受驱在第一位姿、第二位姿和第三位姿之间旋转切换；当反应釜位于第一位姿时，生长段处于直立状态，使解离腔内的熔体与生长腔内的籽晶分离；当反应釜倾斜至第二位姿时，解离腔内的内容物能够倾倒至流入生长腔中；当反应釜倾斜至第三位姿时，生长段内的内容物能够倾倒至流入解离腔中。本发明将氮元素的解离与生长过程彻底分离，有效解决了初始成核表面不平整的问题，同时能够解决由于蓝宝石与氮化镓单晶之间晶格失配导致的破裂问题，从而有效改善了生长所得的氮化镓单晶的质量。
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公开(公告)号：CN117966275A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410295051.5
申请日：2024-03-14
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种GaN单晶生长装置，包括开设有NH3进气口、N2进气口和HC l进气口的反应器，反应器内设置有第一通道、第二通道、第三通道、镓舟、生长盘、生长衬底和盖板；第三通道的入口连通NH3进气口，第二通道的入口连通N2进气口，第一通道的入口连通HC l进气口，第三通道、第二通道和第一通道的出口均呈扁平状；镓舟与第一通道连通；生长衬底位于第三通道、第二通道和第一通道的出口的前方，且生长衬底设置在生长盘上；盖板位于生长衬底的上方，且盖板的高度高于第三通道。本发明可在生长衬底上形成稳定的层流流场，从而可确保得到高质量的GaN单晶，有利于GaN单晶的产业化。
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公开(公告)号：CN117626435A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311667754.8
申请日：2023-12-05
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开了一种基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置及方法，其中，基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置包括装有熔体的反应釜以及加热组件；反应釜内的第一通道的顶端部与第二通道的顶端部通过第一横道相连通，第一通道的底端部与第二通道的底端部通过第二横道相连通；第一通道与第二通道内分别安装有第一特斯拉阀和第二特斯拉阀。上述设计中，第一特斯拉阀以及第二特斯拉阀具有单向流通特征，在温场的条件下，熔体在第一横道、第一特斯拉阀、第二横道以及第二特斯拉阀依次循环流动，熔体内的氮离子也随着熔体循环流动，第一特斯拉阀以及第二特斯拉阀防止熔体出现湍流或者对流现象，有利于氮离子在熔体中的均匀流动，从而籽晶表面的氮化镓生长速率分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN115929960A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211686084.X
申请日：2022-12-27
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开了一种自动补气装置，包括基体和通气柱，基体内部为一圆柱形腔体，所述通气柱上段套设有套筒、弹簧、O型垫圈和螺帽，所述通气柱下段设有旁道；所述通气柱的内部设有通气道，所述通气道的上部是进气通道，所述通气道的下部是进气辅道；所述进气通道连通外部高压腔体，所述进气辅道连通旁道，通气道的底部密封，通气柱在基体内部上下滑动。本发明装置不仅可实现反应釜的自动补气功能，使釜内外压力差处于可控范围之内，而且旁道结构可阻碍釜内蒸汽的外溢，保证了反应运行的稳定性与实验结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN112099078A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010866736.2
申请日：2020-08-25
申请人： 广州海洋地质调查局 , 北京大学东莞光电研究院
IPC分类号： G01V1/22
摘要： 本发明涉及一种由DAS光纤构成地震拖缆的噪音抑制方法，包括：在普通DAS光纤上的特定位置上预设若干散射增强点，得到改良型DAS光纤；步骤2：将多条改良型DAS光纤组装到一条拖缆形成地震拖缆，各散射增强点错开设置；步骤3：进行数据采集，每一条改良型DAS光纤接收到一套仅由散射增强点接收到的采集数据；步骤4：将各条改良型DAS的采集数据进行时间域叠加，并将时间域的数据叠加通过傅里叶变换转换为频率域的相乘处理，得到大于1的滤波因子和频率域的有效反射信号相乘，然后将频率域的数据进行傅里叶逆变换得到时间域的有效采集数据，从而得到抑制噪音后的采集数据。本发明能够有效提高采集数据的信噪比，抑制噪音。
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公开(公告)号：CN118516739A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410702912.7
申请日：2024-05-31
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置和方法，其包括轴承件、搅拌件和反应釜，轴承件包括内圈、外圈以及设于内圈和外圈之间的滚珠，内圈包括内圈上部和内圈下部，外圈的圆心到内圈上部内壁的间距不小于外圈的圆心到内圈下部内壁的间距，内圈上部的壁厚小于内圈下部的壁厚，固定部连接内圈下部，并设有凹槽，籽晶限位于凹槽，固定槽、籽晶、连接件、内圈的总体的重心要低于反应釜的转轴，再加上滚珠的无摩擦滑动，反应釜旋转时，固定槽和籽晶能保持水平状态，外圈的圆心在反应釜转轴上，搅拌件连接反应釜，反应釜带动搅拌件和外圈转动，其解决了籽晶随反应釜翻转进而影响氮化镓单晶生长方向性的问题，促进了氮气的解离并使氮离子在熔体均匀分布。
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公开(公告)号：CN117626434A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311636207.3
申请日：2023-11-30
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开了一种基于毛细作用的自循环装置，包括毛细管以及装有熔体的反应釜；毛细管包括依次连接的进口端部、中段部以及出口端部，其中，进口端部浸入于熔体的液面下方，出口端部位于熔体的液面上方，毛细管的内部沿进口端部至出口端部的方向依次填充有毛细填料以及引流填料。在上述结构中，熔体在毛细管的毛细作用下沿填料的微孔道反重力上升，直至流动到引流填料，在引流填料的作用下回流至反应釜内。这样有效加快熔体的循环流动速度，增加熔体的对流，进而加快熔体中的氮离子传质，起到调节氮化镓单晶生长质量的作用。
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公开(公告)号：CN112099078B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010866736.2
申请日：2020-08-25
申请人： 广州海洋地质调查局 , 北京大学东莞光电研究院
IPC分类号： G01V1/22
摘要： 本发明涉及一种由DAS光纤构成地震拖缆的噪音抑制方法，包括：在普通DAS光纤上的特定位置上预设若干散射增强点，得到改良型DAS光纤；步骤2：将多条改良型DAS光纤组装到一条拖缆形成地震拖缆，各散射增强点错开设置；步骤3：进行数据采集，每一条改良型DAS光纤接收到一套仅由散射增强点接收到的采集数据；步骤4：将各条改良型DAS的采集数据进行时间域叠加，并将时间域的数据叠加通过傅里叶变换转换为频率域的相乘处理，得到大于1的滤波因子和频率域的有效反射信号相乘，然后将频率域的数据进行傅里叶逆变换得到时间域的有效采集数据，从而得到抑制噪音后的采集数据。本发明能够有效提高采集数据的信噪比，抑制噪音。
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公开(公告)号：CN118516738A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410702870.7
申请日：2024-05-31
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开了一种Ga源自动化补充装置及控制方法，其中Ga源自动化补充装置中的第一导线的第一端与控制器电连接，第一导线的第二端始终浸没在高温熔体中；进液管的第一端与加液装置连通，进液管的第二端浸没在高温熔体内，并且，当高温熔体的液面下降时，进液管的第二端与高温熔体相分离；第二导线的第一端与进液管电连接或进入于进液管内与其内部的Ga液电连接，第二导线的第二端与控制器电连接；第一导线、第二导线、高温熔体、进液管或Ga液以及控制器构成闭合电路，控制器通过闭合电路的电流控制驱动件，驱动件与加液装置连接。上述设计中，利用闭合电路的原理解决GaN晶体生长过程中液相液面下降的问题，确保了GaN晶体质量稳定。
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