Invention Grant
- Patent Title: 感应放大器、数据读写方法、存储阵列结构及存储器
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Application No.: CN202410011094.6Application Date: 2024-01-03
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Publication No.: CN117976010BPublication Date: 2024-10-08
- Inventor: 罗元均 , 王卫涛
- Applicant: 北京超弦存储器研究院
- Applicant Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室
- Assignee: 北京超弦存储器研究院
- Current Assignee: 北京超弦存储器研究院
- Current Assignee Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室
- Agency: 北京市立方律师事务所
- Agent 胡娟
- Main IPC: G11C11/4063
- IPC: G11C11/4063 ; G11C11/409 ; G11C11/4094
Abstract:
本申请实施例提供了一种感应放大器、数据读写方法、存储阵列结构及存储器,涉及存储技术领域。该感应放大器包括:第一信号放大单元、第二信号放大单元、第三信号放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元;感应放大器被配置为在写操作的写隔离阶段,第一信号端与第二信号放大单元的第三端断开,第二信号端与第三信号放大单元的第三端断开;位线的电压变为第一信号端的电压,以将第一信号端的电压写入存储单元,第一数据线的电压变为第二信号端的电压。本申请实施例的感应放大器可以减小芯片的尺寸,降低了芯片成本,且通过设置第一隔离单元和第二隔离单元解决了第二信号放大单元和第三信号放大单元对数据写的过程的影响。
Public/Granted literature
- CN117976010A 感应放大器、数据读写方法、存储阵列结构及存储器 Public/Granted day:2024-05-03
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