本发明涉及锗材料制备技术领域，公开了一种基于旋转CVD反应器还原生产高纯锗的方法，包含下列步骤：将四氯化锗蒸汽与氢气从旋转CVD反应器的进气口通入到容器内部反应，吸附、分解和团聚的作用在容器底部的基体锗上沉积锗。本发明通过旋转的基体锗，加强了界面扰动，增加了化学反应速率和传质系数，使得单炉锗的产量增加，提高了经济效益；降低了高纯四氯化锗与高纯氢气的进气比例，减小尾气分离难度，节约成本。同时通过调节旋转的转速，增强基体表面的界面更新速率，提高反应的选择性，并减少杂质颗粒的生成。