发明公开
- 专利标题: 一种高密度存储阵列及其操作方法
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申请号: CN202410265933.7申请日: 2024-03-08
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公开(公告)号: CN118016121A公开(公告)日: 2024-05-10
- 发明人: 王宗巍 , 杨宇航 , 蔡一茂 , 黄如
- 申请人: 北京大学
- 申请人地址: 北京市海淀区颐和园路5号
- 专利权人: 北京大学
- 当前专利权人: 北京大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区颐和园路5号
- 代理机构: 北京万象新悦知识产权代理有限公司
- 代理商 贾晓玲
- 主分类号: G11C11/408
- IPC分类号: G11C11/408 ; G11C11/4094 ; G11C11/4097 ; G11C5/02
摘要:
本发明提供了一种高密度存储阵列及其操作方法,属于存储器和CMOS集成电路技术领域。该高密度存储阵列基于现有的2T0C存储阵列,改变了现有阵列中存储单元间写晶体管的连接关系,阵列相邻行的存储单元的写晶体管之间源漏直接连接,消除了现有阵列相邻行存储单元写晶体管隔离带来的面积开销。同时提出了该阵列写入的操作方法,通过控制阵列写字线和写位线,实现将阵列各行写入到所需的任意状态。本发明降低了阵列中存储单元面积,提高阵列存储密度,具有广阔的应用前景。
公开/授权文献
- CN118016121B 一种高密度存储阵列及其操作方法 公开/授权日:2024-07-16