公开(公告)号：CN119847983A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510336301.X

申请日：2025-03-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  罗天阳 ,  蔡一茂 ,  李劲杉 ,  黄如

IPC: G06F15/78 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/10

Abstract: 本公开涉及一种存内计算架构及其操作策略，存内计算架构包括：存储阵列，存储阵列包括存储串、源线、字线和位线；存储串包括沿第一方向串联的多个存储单元，存储单元包括并联的存储晶体管和旁路电阻，存储串通过下选通管与源线连接，通过上选通管与位线连接，存储单元的控制端与字线连接；驱动及探测电路，与源线连接，驱动及探测电路被配置为向源线注入读取电流，探测并输出源线的电压信号；外围电路，与字线、位线连接，外围电路被配置为控制字线和位线的电压。可以利用存储阵列的架构执行计算任务，可以并行地对多个存储串进行运算，通过检测每个存储单元对应的源线的电压变化，从源线读出计算结果，实现了高效的计算效率。

公开(公告)号：CN119815903A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411916365.9

申请日：2024-12-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  蒋婧儒 ,  许晓燕 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，方法包括：在衬底上形成半导体结构，半导体结构至少包括依次堆叠的牺牲层、第一半导体结构和第二半导体结构；刻蚀源漏区域的半导体结构，并在源漏区域的牺牲层对应的区域内填充绝缘材料，以形成占位结构；在占位结构上，通过前道工艺，基于第一半导体结构，形成第一晶体管的第一部分，第一部分至少包括第一源漏结构；基于第二半导体结构，形成第二晶体管；对第二晶体管进行倒片，并暴露占位结构；去除占位结构，以形成第一晶体管的第一源漏接触金属；通过后道工艺，在第一源漏接触金属上形成第一晶体管的第一金属互连层。本申请可以实现顶部晶体管与底部晶体管的自对准接触。

公开(公告)号：CN119621654A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411669901.X

申请日：2024-11-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 孙仲 ,  王识清 ,  黄如

IPC: G06F15/78 ,  G06F18/213 ,  G06F18/27

Abstract: 本发明提供了一种基于模拟存内计算电路的推荐系统计算加速方法，属于半导体、模拟计算和集成电路技术领域。本发明方法在交替最小二乘法的迭代计算的基础上，设计了分块矩阵方法，利用可变电阻阵列求解大规模矩阵分解问题，并且用模拟计算的方式加速分块矩阵方法中包含的大量岭回归计算，实现推荐系统的模拟计算加速。本发明方法能够实现高速、高能效的推荐系统矩阵分解，为大数据背景下推荐系统训练过程的硬件加速提供了一种新的解决方案，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN119421594A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202510020563.5

申请日：2025-01-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 贺明 ,  郭欣蕊 ,  许蕾 ,  朱玉 ,  刘硕 ,  刘鋆灵 ,  黄如

IPC: H10K30/65 ,  H10K71/00 ,  H10F30/282 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开一种原位自氧化光栅异质突触晶体管及其制备方法和应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。本发明包括底栅衬底，在底栅衬底上设有底栅介质层和位于底栅介质层上的异质突触结构，异质突触结构包括铋氧硒沟道层、亚硒酸氧铋势垒阻挡层和钙钛矿吸光层，铋氧硒沟道层两侧设有源、漏电极，其中钙钛矿吸光层与亚硒酸氧铋势垒阻挡层的价带能级差小于其导带能级差，使空穴的隧穿势垒小于电子的隧穿势垒，在可见光下钙钛矿中的光生空穴隧穿到铋氧硒沟道中，产生光信号的负响应。而在红外光下由于钙钛矿的吸光范围截至于800 nm，光生载流子产生于窄带隙（0.8 eV）的铋氧硒沟道中，增加沟道中的电子浓度，产生光信号的正响应。

公开(公告)号：CN119400751A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411326296.6

申请日：2024-09-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  褚衍邦 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。该方法包括：在衬底上形成第一晶体管，第一晶体管包括第一源漏金属和第一栅极金属；在第一源漏金属上形成第一硬掩膜，并在第一栅极金属上形成第二硬掩膜，在第一硬掩膜和第二硬掩膜上形成第一介质层；刻蚀第一介质层的第一区域以及第一硬掩膜以形成第一凹槽，并基于第一凹槽在第一源漏金属上形成第一金属互联结构；和/或，刻蚀第一介质层的第二区域以及第二硬掩膜以形成第二凹槽，并基于第二凹槽在第一栅极金属上形成第二金属互联结构。通过本申请，可以降低半导体结构的制备难度，提高产品良率。

公开(公告)号：CN119364884A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411372588.3

申请日：2024-09-29

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  张丽杰 ,  周发龙 ,  黄如

IPC: H10F39/18

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该半导体结构包括在第一方向上堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构为互补金属氧化物半导体(CMOS)，第二半导体结构为CMOS图像传感器；该方法包括：在衬底上形成有源结构；有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；第一半导体结构包括第一极性的第一晶体管和第二极性的第二晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；第二半导体结构包括第一极性的第三晶体管和图像传感器单元；第三晶体管和图像传感器单元在第二方向上并排设置。

公开(公告)号：CN119300346A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411258204.5

申请日：2024-09-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10B12/00

Abstract: 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一有源结构、半导体结构和第二有源结构，第一有源结构的掺杂浓度与第二有源结构的掺杂浓度相同，半导体结构的掺杂浓度与第一有源结构的掺杂浓度不同；基于第一有源结构，形成第一存储器；对第一存储器进行倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构和半导体结构；在BL区域内的半导体结构的两侧沉积金属材料，以形成金属结构，金属结构将半导体结构与相邻的半导体结构连通；基于第二有源结构，形成第二存储器，第一存储器的第一源漏结构和第二存储器的第二源漏结构共用半导体结构和金属结构。本申请可以提高存储器的集成度。

公开(公告)号：CN119156001A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411136041.3

申请日：2024-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10B12/00

Abstract: 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一半导体结构和第一有源结构，第一半导体结构的掺杂浓度与第二有源结构的掺杂浓度相同；在第一半导体结构上靠近第一有源结构的区域内进行离子注入，以形成位于第一半导体结构和第一有源结构之间的BL结构，第一半导体结构、BL结构和第一有源结构在BL区域自对准；基于第一有源结构，形成第一存储器；对第一存储器进行倒片并去除衬底，以暴露第一半导体结构；在BL区域刻蚀第一半导体结构，形成第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二存储器，第一存储器的第一源漏结构和第二存储器的第二源漏结构共用BL结构。本申请可以提高存储器的集成度。

公开(公告)号：CN119153396A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411091895.4

申请日：2024-08-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的漏极互连方法、晶体管、器件及设备。其中，漏极互连方法包括：形成包括自对准的第一晶体管和第二晶体管的倒装堆叠晶体管；在形成第一晶体管的第一栅极结构之后，且在形成第二晶体管之前，基于第一晶体管的第一栅极结构，形成第一绝缘层和第一栅极切断结构，第一绝缘层用于保护第一栅极结构；在形成第二晶体管的第二栅极结构之后，基于第二栅极结构，形成第二绝缘层和第二栅极切断结构，第二绝缘层用于保护第二栅极结构；基于第一栅极切断结构和第二栅极切断结构，形成互连结构；基于第二源漏结构，形成第二晶体管的第二源漏金属，第二源漏金属通过互连结构与第一源漏金属连接。本申请可以实现漏极互连的自对准。

公开(公告)号：CN119133103A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411109208.7

申请日：2024-08-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王逸勐 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/07 ,  H01L29/78 ,  H01L21/762

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；衬底包括横向扩散区域和核心区域；在横向扩散区域进行离子注入，以形成P型阱区和N型漂移区；刻蚀横向扩散区域和核心区域，以形成鳍状结构；鳍状结构包括沿第一方向堆叠设置的第一鳍状结构和第二鳍状结构；对第一鳍状结构进行第一鳍切处理，以形成第一鳍切沟槽；在第一鳍切沟槽中填充氧化物；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；对第二鳍状结构进行第二鳍切处理，以形成第二鳍切沟槽；在第二鳍切沟槽中填充氧化物；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以实现横向扩散器件与堆叠晶体管之间的工艺兼容。