一种高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用

发明公开

CN118039455A 一种高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用审中-实审

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专利标题： 一种高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用
申请号： CN202211415099.2

申请日： 2022-11-11
公开(公告)号： CN118039455A

公开(公告)日： 2024-05-14
发明人: 许福军 , 沈波 , 王嘉铭 , 康香宁 , 秦志新
申请人： 北京大学
申请人地址： 北京市海淀区颐和园路5号
专利权人： 北京大学
当前专利权人： 北京大学
当前专利权人地址： 北京市海淀区颐和园路5号
代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
代理商 董媛
主分类号： H01L21/02
IPC分类号： H01L21/02

摘要：

本发明公开一种高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用。本发明提供的AlN薄膜，其具有如下特征：(1)表面平整度达到0.1nm以下；(2)位错密度小于1.0×108cm‑2。本发明首次提出对AlN/衬底进行特定图形化制备，保障了AlN外延层与模板面内晶格对称性的一致，并在其上进行AlN可控侧向外延，实现特定晶面的可控聚合过程，极大减少晶柱扭曲，大幅减少位错增殖，从而实现位错密度低、表面原子级别平整的AlN薄膜。

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理