本申请涉及半导体领域，具体提供了一种肖特基型异质结、制备方法及其在太赫兹发射中的应用。该异质结包括半导体层，半导体层表面固定设置有半金属层，半导体层和半金属层形成异质结；半导体层的材料为二硫化钼，半导体层的厚度为0.34‑200nm，半导体层的能带间隙小于等于1.9eV；半金属层的材料为石墨烯，半金属层的厚度为0.4‑0.7nm。制备方法包括：步骤一，利用双温区化学气相沉积法制备半导体层，利用单温区化学气相沉积法制备半金属层；步骤二，通过湿法刻蚀转移技术将半金属层转移到半导体层上。泵浦光照射在本申请异质结上，能够产生太赫兹波，产生的太赫兹波强度较大。