本发明提供一种倒装mini发光二极管芯片的制备方法，包括提供一生长所需的衬底，然后在衬底上依次外延生长N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层，在P型半导体层表面涂布光刻胶，利用一光罩对光刻胶进行曝光，在光罩四角设有遮光部，遮光部由多组区域组成，区域包括不透光区间与透光区间，在同一区域内的不透光区间的宽度大于透光区间，且不透光区间以及透光区间的宽度朝向光罩的中心依次递减，以使透光区间在曝光过程中发生衍射，进而使得光刻胶的曝光深度从四角位置朝向中心位置逐渐减小，以使隔离槽的斜度与平面区域斜度是一致的，进而避免隔离槽四角凸起，导致倒装mini发光二极管芯片在高湿环境下快速失效或损坏。