- 专利标题: 一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法
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申请号: CN202410437723.1申请日: 2024-04-12
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公开(公告)号: CN118042897B公开(公告)日: 2024-06-14
- 发明人: 罗军 , 陈小曼 , 陈琳 , 庞盼
- 申请人: 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
- 申请人地址: 天津市武清区京津电子商务产业园宏旺道2号14号楼201室08号
- 专利权人: 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
- 当前专利权人: 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
- 当前专利权人地址: 天津市武清区京津电子商务产业园宏旺道2号14号楼201室08号
- 代理机构: 北京慕达星云知识产权代理事务所
- 代理商 周亮
- 主分类号: H10K71/00
- IPC分类号: H10K71/00 ; H10K50/844 ; C23C14/32 ; C23C14/48 ; C23C14/08
摘要:
本发明公开了一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法,属于OLED材料技术领域,步骤为:取含有电子传输层和导电层的OLED基体,取阴极靶材经机械触发发生弧光放电形成金属等离子体,然后通入O2,形成O离子;通过前置脉冲磁场对等离子体的弧斑运动速率和运动范围进行调控;进行等离子体沉积;开启脉冲电场,OLED基体表面产生感生电场,等离子体获得高能量,OLED基体表面沉积离子束发生高能注入;重复前面步骤得到封装氧化物。本发明无负脉冲偏压和脉冲偏压的循环组合能够同时有机融合解决内应力、结合强度等问题以及保持产品的高透光性。本发明的方法形成的薄膜致密、平整光滑,抗腐蚀性能好,与聚合物基体结合良好。
公开/授权文献
- CN118042897A 一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法 公开/授权日:2024-05-14