Invention Publication
CN118053818A 半导体器件及其制造方法
审中-公开
- Patent Title: 半导体器件及其制造方法
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Application No.: CN202311365777.3Application Date: 2023-10-20
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Publication No.: CN118053818APublication Date: 2024-05-17
- Inventor: 远藤清 , 森山卓史
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 姚宗妮
- Priority: 2022-183551 20221116 JP
- Main IPC: H01L23/31
- IPC: H01L23/31 ; H01L21/768 ; H01L21/56

Abstract:
一种半导体器件包括:第一元件,其被设置在第一区域中并且包含高介电常数绝缘膜;第二元件,其被设置在第二区域中;以及元件隔离部,其被设置在第一区域与第二区域之间并且将第一元件与第二元件之间电隔离。在元件隔离部的表面上形成有台阶部。该半导体器件另外包括虚设图案,该虚设图案跨越台阶部。虚设图案包含第一高介电常数绝缘膜和导电膜,该导电膜覆盖第一高介电常数绝缘膜的上表面。第一高介电常数绝缘膜从虚设图案的两个侧表面暴露。半导体器件另外包括侧壁绝缘膜,该侧壁绝缘膜覆盖从虚设图案的两个侧表面暴露的第一高介电常数绝缘膜。
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IPC分类: