公开(公告)号：CN101866866B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201010162093.X

申请日：2010-04-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 本间琢朗 ,  堀田胜彦 ,  森山卓史

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在当前LSI或者半导体集成电路器件制造工艺中，在组装器件的步骤(比如树脂密封步骤)之后通常为在高温度(比如近似范围从85℃至130℃)和高湿度(比如约为80％RH)的环境中的电压施加测试(高温度和高湿度测试)。对于该测试，本发明的发明人在高温度和高湿度测试期间发现作为抗反射膜的氮化钛膜从上方膜出现分离以及在施加有正电压的基于铝的键合焊盘的上表面的边缘部分在氮化钛膜中生成裂缝这一现象，该现象归因于由潮气经过密封树脂等侵入生成氮化钛膜的氧化和膨胀引起的电化学反应。本申请的一项发明在于在基于铝的键合焊盘的外围区域以环或者缝形状去除焊盘之上的氮化钛膜。

公开(公告)号：CN119812117A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411249803.0

申请日：2024-09-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 森山卓史 ,  河合彻

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/488 ,  H01L23/58 ,  H01L23/31 ,  H01L21/78 ,  H10D86/01 ,  H10D84/02

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：半导体衬底、被形成在半导体衬底上的多层布线结构、被形成为以便围绕电路形成区域并且穿透多层布线结构的保护环，以及被形成在多层布线结构上的焊盘。保护膜被形成为以便覆盖多层布线结构、保护环和焊盘。沟槽被形成为以便穿透保护膜并且到达多层布线结构的内部。沟槽被形成为以便围绕保护环。保护环包括被形成在多层布线结构上的布线。沟槽与布线间隔开并且与布线相邻。沟槽的底表面是倾斜的，以便在从电路形成区域朝向围绕电路形成区域的外围区域的方向上连续地加深。

公开(公告)号：CN109216307B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201810690827.8

申请日：2018-06-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 森山卓史 ,  利根川丘

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件及一种制造半导体器件的方法，该方法确保提高的可靠性，允许进一步小型化，以及抑制在制造成本上的增加。该半导体器件包括：在在半导体衬底的上方形成的多层布线层的最上层布线层中形成的焊盘电极；以覆盖该焊盘电极的方式形成的表面保护膜；在所述表面保护膜中以部分暴露所述焊盘电极的方式形成的开口；以及，在暴露于开口底部处的焊盘电极上方形成导电层。在焊盘电极上方形成的导电层的厚度小于在焊盘电极上方形成的表面保护膜的厚度。

公开(公告)号：CN104835795A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510145695.7

申请日：2010-04-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 本间琢朗 ,  堀田胜彦 ,  森山卓史

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，其包括：半导体衬底；多层接线层，形成在所述半导体衬底之上；第一绝缘膜，形成在所述多层接线层之上；焊盘，形成在所述第一绝缘膜上并且由层积膜形成，所述层积膜包括第一金属膜、形成在所述第一金属膜之上的第二金属膜、以及形成在所述第二金属膜之上的第三金属膜；以及第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜和所述焊盘之上，所述第二绝缘膜具有第一开口，使得所述焊盘的上表面从所述第一开口中暴露，其中，所述第三金属膜具有缝，使得在俯视图中所述缝被设置在离所述第一开口一定空间处。本申请的一项发明在于在基于铝的键合焊盘的外围区域以环或者缝形状去除焊盘之上的氮化钛膜。

公开(公告)号：CN101866866A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010162093.X

申请日：2010-04-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 本间琢朗 ,  堀田胜彦 ,  森山卓史

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在当前LSI或者半导体集成电路器件制造工艺中，在组装器件的步骤(比如树脂密封步骤)之后通常为在高温度(比如近似范围从85℃至130℃)和高湿度(比如约为80％RH)的环境中的电压施加测试(高温度和高湿度测试)。对于该测试，本发明的发明人在高温度和高湿度测试期间发现作为抗反射膜的氮化钛膜从上方膜出现分离以及在施加有正电压的基于铝的键合焊盘的上表面的边缘部分在氮化钛膜中生成裂缝这一现象，该现象归因于由潮气经过密封树脂等侵入生成氮化钛膜的氧化和膨胀引起的电化学反应。本申请的一项发明在于在基于铝的键合焊盘的外围区域以环或者缝形状去除焊盘之上的氮化钛膜。

公开(公告)号：CN118053818A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311365777.3

申请日：2023-10-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 远藤清 ,  森山卓史

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体器件包括：第一元件，其被设置在第一区域中并且包含高介电常数绝缘膜；第二元件，其被设置在第二区域中；以及元件隔离部，其被设置在第一区域与第二区域之间并且将第一元件与第二元件之间电隔离。在元件隔离部的表面上形成有台阶部。该半导体器件另外包括虚设图案，该虚设图案跨越台阶部。虚设图案包含第一高介电常数绝缘膜和导电膜，该导电膜覆盖第一高介电常数绝缘膜的上表面。第一高介电常数绝缘膜从虚设图案的两个侧表面暴露。半导体器件另外包括侧壁绝缘膜，该侧壁绝缘膜覆盖从虚设图案的两个侧表面暴露的第一高介电常数绝缘膜。

公开(公告)号：CN116895622A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310163108.1

申请日：2023-02-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 森山卓史

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。在形成于半导体衬底上的多层布线层的最上层布线层中形成焊盘电极。形成介电膜以覆盖焊盘电极。在介电膜中形成开口部分以到达焊盘电极。在开口部分中，作为导电层的一部分的导电膜电连接到焊盘电极。在导电膜的侧表面上形成氧化层，在氧化层中包含在导电膜中的材料被氧化。氧化层的宽度为200nm或大于200nm。

公开(公告)号：CN109216307A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810690827.8

申请日：2018-06-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 森山卓史 ,  利根川丘

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件及一种制造半导体器件的方法，该方法确保提高的可靠性，允许进一步小型化，以及抑制在制造成本上的增加。该半导体器件包括：在在半导体衬底的上方形成的多层布线层的最上层布线层中形成的焊盘电极；以覆盖该焊盘电极的方式形成的表面保护膜；在所述表面保护膜中以部分暴露所述焊盘电极的方式形成的开口；以及，在暴露于开口底部处的焊盘电极上方形成导电层。在焊盘电极上方形成的导电层的厚度小于在焊盘电极上方形成的表面保护膜的厚度。